Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics
Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics RepositoryNot a member yet
44406 research outputs found
Sort by
PostgreSQL scalability in distributed environments
Get PDFАнализ масштабирования PostgreSQL в распределенных средах. Охватывает производительность в разных конфигурациях. Предоставляются теоретические основы и рекомендации для улучшения производительности и отказоустойчивости в условиях растущих объемов данных, с учетом требований разработчиков и администраторов
Gas-Sensitive Characteristics of Low-Power Semiconductor Gas Sensors to CO and H2
Get PDFВ связи с жёсткими требованиями по определению концентрации газов в рабочей среде
является актуальной разработка полупроводниковых сенсоров для обеспечения оперативного
реагирования и безопасности персонала в промышленных и бытовых помещениях. Целью работы
являлось исследование газочувствительных и динамических характеристик высокочувствительных
маломощных сенсоров, изготовленных на тонких нанопористых подложках с газочувствительны-
ми слоями из полупроводниковых оксидов металлов. В этой связи разработана конструкция
полупроводникового газового сенсора на подложке из анодного оксида алюминия. Изготовлены
датчики с газочувствительными слоями из полупроводниковых оксидов металлов, полученных
методом осаждения из водных растворов с последующим отжигом, на основе In2O3+Ga2O3, In2O3+SnO2
и SnO2+Pd, нанесённых на измерительные электроды сенсоров. Проведённые исследования
газочувствительных характеристик показали, что максимальной чувствительностью, около 85 %, и
высоким быстродействием к воздействию 10 ppm H2 при 410 ºС обладают сенсоры с плёнками из
SnO2 с добавлением наночастиц Pd. Наибольшая чувствительность сенсора – 250 % при воздействии
10 ppm CO и температуре 220 ºС достигнута при использовании In2O3+SnO2 , время срабатывания
τ90 составило 5 с, тогда как чувствительность In2O3+Ga2O3 и SnO2+Pd была на уровне 30–50 %
при 410–420 ºС. Меньшую чувствительность к воздействию водорода показали полупроводнико-
вые оксиды металлов In2O3+Ga2O3 (70 % при 420 ºС) и In2O3+SnO2 (30 % при 250 ºС) при времени
срабатывания τ90 = 20 с. Подаваемая мощность на нагреватели сенсоров во всех режимах измерений
составляла 28–60 мВт. Полупроводниковые газовые сенсоры с низким энергопотреблением могут
быть использованы при разработке систем, обеспечивающих контроль концентрации оксида углерода
в рабочей зоне, а также обнаружения ранних стадий возгорания
Как студенты будут решать амбициозные задачи, которые перед инженерной сферой поставил Лукашенко
Get PDFМолодежь должна не только видеть возможность развития карьеры, но и включаться в задачи по укреплению нашего технологического суверенитета. На фоне мировых событий важно сделать интернет-среду безопасным пространством, развивать импортозамещение и собственные разработки. Об этом, в частности, говорил Александр Лукашенко во время встречи со студентами инженерно-технических вузов Минска в формате «Открытый микрофон», которая прошла в БГУИР — ведущем университете в области информационных технологий и радиоэлектроники. Что по этому поводу думают учащиеся и преподаватели
Особенности применения алгоритмов графового поиска путей в разработке трехмерных игровых миров
Get PDFВ этой статье рассматриваются особенности применения алгоритмов графового поиска путей при разработке трехмерных игровых миров. Исследуется различные структуры данных, включая высотные карты, иерархические графы и воксельные сетки, которые помогают оптимизировать поиск пути и управление сложностью в игровых сценах. Рассмотрены преимущества и недостатки каждого метода, а также примеры их использования и интеграции для создания динамичных и увлекательных трехмерных
игровых миров
Inverse problems of optics of scattering media (medicine, ecology)
Get PDFРассмотрен новый подход в решении обратных задач оптики рассеивающих сред – на основе установления регрессионных соотношений между измеряемыми оптическими параметрами и определяемыми микрофизическими характеристиками аэродисперсных и газовых сред, форменных элементов крови, структурно–морфологическими параметрами кожи и слизистых человека, а также аппроксимационных функций для потоков многократного рассеяния излучения крови, биотканей. Оценена эффективность методов и систем оптико-физической диагностики неоднородных рассеивающих
сред на основе данного подхода
Программно-аппаратный комплекс для сбора и визуализации данных при исследовании координации у детей
Get PDFВ докладе описываются функциональные возможности программного комплекса для обработки и визуализации данных, полученных аппаратным комплексом в ходе исследования координации детей с нарушениями вестибулярного аппарата
Capacitance of film structures including graphitic carbon nitride
Get PDFСкоростным осаждением графитоподобного нитрида углерода (g-C3N4) из меламина на подложки из кремния (Si) и алюминия (Al), часть поверхности которых была покрыта оксидом – соответственно SiO2 или Al2O3, с поверхностными пленочными контактами из Al изготовлены структуры Al/g-C3N4/Si/Al, Al/g-C3N4/SiO2/Si/Al, Al/g-C3N4/Al и Al/g-C3N4/Al2O3/Al. На них при комнатной температуре измерены вольт-фарадные характеристики и зависимость емкости от частоты измерительного сигнала. Установлено, что диэлектрическая проницаемость g-C3N4 составляет 14 в структурах на кремнии и 9–10 в структурах на алюминии. Уменьшение диэлектрической проницаемости объясняется образованием Al2O3 на границе g-C3N4/Al в процессе осаждения g-C3N4, на что указывают результаты проведенного рентгенодифракционного анализа сформированных образцов
Field-effect transistors based on innovative materials with carbon fillers
No full textСовременные исследования в области композиционных материалов на базе природных полимеров открывают новые горизонты для создания биосовместимых электроник. Сукцинат хитозана, благодаря своим уникальным свойствам, становится все более распространённым в разработке сенсорных устройств, способных эффективно взаимодействовать с человеческим организмом. В частности, композитные сенсоры на основе хитозана продемонстрировали выдающиеся результаты в обнаружении специфических энантиомеров, что представляет значительный интерес для фармацевтической диагностики. Важным аспектом работы с тонкоплёночными структурами является выбор наполнителей. Оксид графена и углеродные нанотрубки не только улучшают механические характеристики, но и способствуют повышению электропроводности композитов. Эффективная интеграция таких наполнителей в матрицу на основе сукцинамида хитозана открывает возможность создания более чувствительных и стабильных сенсоров. Метод атомно-силовой микроскопии сыграл ключевую роль в исследовании поверхности этих тонких пленок, позволяя детально проанализировать их микроструктуру и взаимодействия между компонентами. Полученные данные не только подтвердили перспективность использования модифицированных биополимеров, но и стали основой для разработки полевых транзисторов, что может привести к значительным прорывам в области медицинской электроники и диагностики
Nonlinear Absorption of Teraherts Radiation by Free Charge Carriers in Polar Semiconductors.
Get PDFПолучено аналитическое выражение для коэффициента поглощения интенсивного терагерцового излучения свободными электронами в полупроводнике, когда основным механизмом рассеяния электронов является спонтанное испускание полярных оптических фононов. Показано, что коэффициент поглощения резко возрастает, когда средняя энергия колебаний электрона в терагерцовом поле превышает энергию оптического фонона
Enhanced Ferroelectricity and Reliability in Sub-6 nm Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2/ZrO2/Hf0.5Zr0.5O2 Stack Film Compatible with BEOL Proces
Get PDFIn this work, the back-end of line (BEOL) compatible sub-6 nm Hf0.5Zr0.5O2/ZrO2/Hf0.5Zr0.5O2 (HZO/ZrO2/HZO)stack and the corresponding capacitors were fabricated. The capacitor with the sub-6 nm HZO/ZrO2/HZO stack annealed at 400°C shows a superior remanent polarization (2Pr) of 26.3 μC/cm2 under only ±1.25 V sweeping, while the conventional HZO film presents nonferroelectricity. The enhanced ferroelectricity stems from the increased ferroelectric phase proportion with ZrO2 insertion. Moreover, the capacitor with a HZO/ZrO2/HZO stack also achieved an excellent endurance with a 2Pr of 27.1 μC/cm2 after 1011 cycles without breakdown and only ∼12% 2Pr degradation at 85 °C. The robust reliability is ascribed to the suppressed generation of defects and domain pinning under the low operating voltage. The sub-6 nm HZO/ZrO2/HZO stack presents great potential for BEOL compatible nonvolatile memories in advanced process nodes