Belarussian State Pedagogical University Named After Maxim Tank
Belarusian State Pedagogical University RepositoryNot a member yet
10699 research outputs found
Sort by
Пространственное распределение радиационных нарушений в кремнии, облученном ионами аргона
No full textМетодом обратного рассеяния протонов и ионов гелия в сочетании с послойным стравливанием изучалось разупорядочение структуры на различных глубинах в эпитаксиальном кремнии при внедрении ионов аргона с энергией 200 кэВ и интегральным потоком от 5*10^14 до 5*10^15 ионов/см^2 при 20°С и 200°С и последующем отжиге.
Установлено наличие разупорядочения на глубинах больше 1 мк, т.e. превышающих пробег ионов, показано влияние условий облучения и термообработки на глубину распределения радиационных нарушений
Исследование радиационных дефектов в кремнии, имплантированном ионами углерода
No full textИзлагаются основные результаты исследования дефектообразования при имплантации кремния ионами углерода с Е=30–40 кэВ и интегральными потоками до 6*10^16 см^(-2). Иcпользуя ориентационную зависимость Резерфордовского рассеяния, были получены спектры обратно рассеянных ионов гелия при ориентировании оси исследуемого кристалла в направлении пучка ионов и при случайной ориентации кристалла. На основании полученных спектров проведен анализ профиля распределения дефектов, дана количественная оценка степени повреждения кристалла, показано распределение углерода по глубине в имплантированном слое.
На основании анализа низкотемпературных спектров люминесценции и оптического поглощения установлена природа дефектов, формирующихся при внедрении ионов углерода (дивакансии, 5-вакансионные комплексы и др.). Изохронный отжиг в интервале температур 0–900°С позволил изучить кинетику перестройки ряда дефектов
Определение ширины запрещённой зоны полупроводникового материала с помощью диода
No full textВ статье предлагается метод определения ширины запрещённой зоны полупроводникового материала, используя вольтамперную характеристику полупроводникового диод
Ионометрическое исследование воздействия протонного облучения на чистый и примесный висмут
No full textС помощью метода ионометрии получены сведения о нарушениях кристаллической решетки в монокристаллах чистого висмута марки Bi 000 и его сплавов со свинцом трех концентраций: 0,2; 0,6 и 1 ат. % при облучении их протонами с энергией 100 кэВ. Образцы подвергались облучению интегральным потоком 5*10^15 см^(-2) и 1,0*10^16 см^(-2). После облучений снимались спектры обратного рассеяния, затем образцы отжигались и еще раз исследовались тем же методом.
Отжиг проводился в течение 4 часов при температуре 120°С. Изучено, как концентрация свинца в примесном материале влияет на число образующихся при облучении дефектов. Сделан вывод, что введение примеси свинца приводит к упрочению кристаллической решетки висмута
Пространственное распределение радиационных дефектов в висмуте, облученном протонами
No full textРабота является продолжением исследования воздействия различных видов облучения на электрические и структурные свойства висмута и его сплавов со свинцом. С помощью метода обратного рассеяния каналированных ионов получены сведения о профиле дефектообразования в монокристаллах чистого висмута марки Bi000 и его сплавов со свинцом трех концентраций: 0,2; 0,6 и 1,0 ат. % Pb, которые облучались протонами с энергией 100 кэВ и интегральным потоком 5*10^15 см^(-2) при комнатной температуре. Данные, полученные экспериментально, сопоставлены с теоретическими расчетами
К вопросу о периодизации в свете ленинизма истории прогрессивной идеологии и философии Кубы
No full textРешается проблема периодизации истории прогрессивной идеологии и философии Кубы на основе ленинской методологии
Национальный герой Кубы Хосе Марти – борец против империализма США
No full textРаскрывается воинствующий антиимпериализм апостола независимости Кубы
Выдающийся кубинский мыслитель Хосе Марти
No full textРассматриваются философские взгляды Апостола независимости Кубы
Спектр пропускания оптических материалов при различной когерентности излучения прибора
No full textПредставлены результаты анализа и сопоставления спектрометрической задачи в приближении классических выражений с реально регистрируемыми характеристиками на приборах с конечной длиной когерентности тестирующего излучения. Показано, что наличие двух и более границ раздела у плоскопараллельного оптического слоя, приводящее к появлению вторичных волн различной степени когерентности по отношению к толщине тестируемого оптического слоя, может приводить к модифицированию прошедшего светового поля, усиливаемого при многолучевой интерференции. Рассмотренные модельные ситуации сопоставлены с результатами реального эксперимента, выявлены подходы улучшения точности восстановления оптических характеристик по данным эксперимента.
Рис. – 5. Библиогр. – 9 назв