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Comparative experimental study of a fuzzy feedback linearization control based on a fuzzy estimator international conference on control, automation and systems (ICCAS 2013)
No full textStandard survey methods for estimating colony losses and explanatory risk factors in Apis mellifera
No full textThis chapter addresses survey methodology and questionnaire design for the collection of data pertaining to estimation of honey bee colony loss rates and identification of risk factors for colony loss. Sources of error in surveys are described. Advantages and disadvantages of different random and non-random sampling strategies and different modes of data collection are presented to enable the researcher to make an informed choice. We discuss survey and questionnaire methodology in some detail, for the purpose of raising awareness of issues to be considered during the survey design stage in order to minimise error and bias in the results. Aspects of survey design are illustrated using surveys in Scotland. Part of a standardized questionnaire is given as a further example, developed by the COLOSS working group for Monitoring and Diagnosis. Approaches to data analysis are described, focussing on estimation of loss rates. Dutch monitoring data from 2012 were used for an example of a statistical analysis with the public domain R software. We demonstrate the estimation of the overall proportion of losses and corresponding confidence interval using a quasi-binomial model to account for extra-binomial variation. We also illustrate generalized linear model fitting when incorporating a single risk factor, and derivation of relevant confidence interval
Strength and compressive behaviour of ultra high-performance fibre-reinforced concrete (UHPFRC) incorporating algerian calcined clays as pozzolanic materials and silica fume
No full textMultiscale analysis of noisy 3D GPR data using the directional continuous wavelet transform
No full textEnergy valorization of sludge from the wastewater treatment plant of boumerdes by biogas product
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Etude et simulation électrothermique d'un transistor IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor )
No full text99 p. : ill. ; 30 cmUne forte exigence de robustesse s'est imposée dans tous les domaines d'application des composants de puissance. Dans ce cadre très contraint, seule une analyse fine des phénomènes liés directement ou indirectement aux défaillances peut garantir une maîtrise de la fiabilité des fonctions assurées par les nouveaux composants de puissance. Le travail présenté dans ce mémoire a pour but d'étudier le comportement interne des structures semi-conductrices. Dans ce contexte, le recours à la simulation est indispensable dans une phase de conception d'un nouveau produit et/ou de comprendre les mécanismes physiques qui régissent leur fonctionnement. Pour cela, plusieurs types de modélisation sont possibles : la modélisation comportementale, la modélisation physique et la modélisation par éléments finis. La modélisation des composants de puissance de type bipolaire nécessite la prise en compte de la nature distribuée du mécanisme de transport des charges présentes dans la région de base large et peu dopée et qui obéit à l'équation aux dérivées partielles dite "équation de diffusion ambipolaire". L'association du sous-modèle de la base avec les autres sous-modèles des régions physiquement et/ou électriquement différentiables permet de créer le modèle complet de diode PIN et de transistor IGBT. Dans la partie simulation, L'étude est menée à l'aide du logiciel Comsol Multiphysics. Ce logiciel est basé sur la méthode de résolution par éléments finis. Tout d'abord nous avons réalisé la géométrie et le maillage du composant à simuler. Ensuite nous avons présenté les profils de dopage pour chaque région de la cellule IGBT. Les résultats de simulation des caractéristiques statiques I(V) sont donnés. Pour finir notre travail, l'effet de la température sur le comportement électrique de l'IGBT a été simulé. Les résultats obtenus ont été discutés et confrontés avec ceux fournis dans la littératur
