317 research outputs found
A light-controlled resistive switching memory
No full textSketch of the configuration of a light-controlled resistive switching memory. Light enters through the Al 2O 3 uncovered surface and reaches the optically active p-Si substrate, where carriers are photogenerated and subsequently injected in the Al 2O 3 layer when a suitable voltage pulse is applied. The resistance of the Al 2O 3 can be switched between different non-volatile states, depending on the applied voltage pulse and on the illumination conditions.Fil: Ungureanu, Mariana. CIC nanoGUNE Consolider; EspañaFil: Zazpe, Raul. CIC nanoGUNE Consolider; EspañaFil: Golmar, Federico. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Instituto Nacional de Tecnología Industrial; Argentina. CIC nanoGUNE Consolider; EspañaFil: Stoliar, Pablo Alberto. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina. CIC nanoGUNE Consolider; EspañaFil: Llopis, Roger. CIC nanoGUNE Consolider; EspañaFil: Casanova, Felix. CIC nanoGUNE Consolider; España. Basque Foundation for Science; EspañaFil: Hueso, Luis E.. CIC nanoGUNE Consolider; España. Basque Foundation for Science; Españ
Tuning the resistive switching properties of TiO2-x films
No full textWe study the electrical characteristics of TiO2-x-based resistive switching devices fabricated with different oxygen/argon flow ratio during the oxide thin film sputtering deposition. Upon minute changes in this fabrication parameter, three qualitatively different device characteristics were accessed in the same system, namely, standard bipolar resistive switching, electroforming-free devices, and devices with multi-step breakdown. We propose that small variations in the oxygen/ argon flow ratio result in relevant changes of the oxygen vacancy concentration, which is the key parameter determining the resistive switching behavior. The coexistence of percolative or non-percolative conductive filaments is also discussed. Finally, the hypothesis is verified by means of the temperature dependence of the devices in low resistance state.Fil: Ghenzi, Néstor. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área Investigaciones y Aplicaciones no Nucleares; Argentina. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología; Argentina. CIC nanoGUNE; EspañaFil: Rozenberg, M.J.. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales. Departamento de Física; Argentina. Université Paris Sud; FranciaFil: Llopis, R.. CIC nanoGUNE; EspañaFil: Levy, Pablo Eduardo. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área Investigaciones y Aplicaciones no Nucleares; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; ArgentinaFil: Hueso, Luis E.. Universidad del País Vasco; España. Fundación Vasca para la Ciencia; EspañaFil: Stoliar, Pablo Alberto. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología; Argentina. CIC nanoGUNE; Españ
Thermal effects on the switching kinetics of silver/manganite memristive systems
No full textWe investigate the switching kinetics of oxygen vacancy (Ov) diffusion in La(5/8-y)Pr(y)Ca(3/8)MnO(3)-Ag (LPCMO-Ag) memristive interfaces by performing experiments on the temperature dependence of the high resistance state under thermal cycling. Experimental results are well reproduced by numerical simulations based on thermally activated Ov diffusion processes and fundamental assumptions relying on a recent model proposed to explain bipolar resistive switching in manganite-based cells. The confident values obtained for activation energies and the diffusion coefficient associated to Ov dynamics constitute a validation test for both model predictions and Ov diffusion mechanisms in memristive interfaces.Fil: Stoliar, Pablo Alberto. Cic Nanogune; España. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología; ArgentinaFil: Sánchez, M. J.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; ArgentinaFil: Patterson, Germán Agustín. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Instituto Tecnológico de Buenos Aires; ArgentinaFil: Fierens, Pablo Ignacio. Instituto Tecnológico de Buenos Aires; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentin
Building memristive and radiation hardness TiO2-based junctions
No full textWe study micro-scale TiO2 junctions that are suitable to be used as resistive random-access memory nonvolatile devices with radiation hardness memristive properties. The fabrication and structural and electrical characterization of the junctions are presented. We obtained a retentivity of 105 s, an endurance of 104 cycles and reliable switching with short electrical pulses (time-width below 10 ns). Additionally, the devices were exposed to 25 MeV oxygen ions. Then, we performed electrical measurements comparing pristine and irradiated devices in order to check the feasibility of using these junctions as memory elements with memristive and radiation hardness properties.Fil: Ghenzi, Néstor. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; ArgentinaFil: Rubi, Diego. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; ArgentinaFil: Mangano, E.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia Química. CAC; ArgentinaFil: Gimenez, G.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia Química. CAC; ArgentinaFil: Lell, Julián Alejandro. Comisión Nacional de Energía Atómica; ArgentinaFil: Zelcer, Andrés. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia Química. CAC; ArgentinaFil: Stoliar, Pablo Alberto. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología; Argentina. Universite de Nantes; Francia. Centre National de la Recherche Scientifique; FranciaFil: Levy, Pablo Eduardo. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia Química. CAC; Argentin
Non-conventional metallic electrodes for organic field-effect transistors
No full textWe study micrometer-sized organic field-effect transistors with either Pd or NiFe metallic electrodes. Neither of these materials is commonly used in organic electronics applications, but they could prove to be particularly advantageous in certain niche applications such as organic spintronics. Using organic semiconductors with different carrier transport characteristics as active layer, namely n-type C60 fullerene and p-type Pentacene, we prove that Pd (NiFe) is a very suitable electrode for p- (n-) type semiconductors. In particular, we characterized devices with channel lengths in the order of the micrometer, a distance which has allowed us to evaluate the electronic behavior in a regime where the interfacial problems become predominant and it is possible to reach elevated longitudinal electric fields. Our experimental results agree well with a simple model based on rigid energy levels.Fil: Golmar, Federico. Instituto Nacional de Tecnología Industrial; Argentina. The CIC nanoGUNE Consolider; España. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; ArgentinaFil: Gobbi, M.. The CIC nanoGUNE Consolider; EspañaFil: Llopis, Roger. The CIC nanoGUNE Consolider; EspañaFil: Stoliar, Pablo Alberto. The CIC nanoGUNE Consolider; España. Centre National de la Recherche Scientifique; Francia. Universidad Nacional de San Martín; ArgentinaFil: Casanova, Félix. Ikerbasque, Basque Foundation For Science; España. The CIC nanoGUNE Consolider; EspañaFil: Hueso, Luis E.. Ikerbasque, Basque Foundation For Science; España. The CIC nanoGUNE Consolider; Españ
HfO2 based memory devices with rectifying capabilities
No full textWe report on the fabrication and characterization of metal/insulator/metal capacitor like devices, with both rectifying and hysteretic features. Devices are formed by two junctions, Ti/HfO2 and Co/HfO2. Each junction exhibits highly repetitive hysteretic I-V curves with a sharp transition from a high to a low resistance state (3–4 orders of magnitude jump). The opposite transition (from low to high) is induced by polarity reversal. The rectifying non-crossing characteristics of the I-V branches denote their potential use as a multifunctional device, acting as a built-in rectifier and memory cell in a single device. Based on the phenomenological model description by Zazpe et al. [Appl. Phys. Lett. 103, 073114 (2013)], we propose a circuital equivalent representation supported on switchable rectifying junctions. By exploring different electrode connections, we disentangle the role of the bulk transport in HfO2 devices.Fil: Quinteros, Cynthia Paula. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área Investigaciones y Aplicaciones no Nucleares; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; ArgentinaFil: Zaspe, R.. CIC nanoGUNE; EspañaFil: Marlasca, F. G.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área Investigaciones y Aplicaciones no Nucleares; ArgentinaFil: Golmar, Federico. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Instituto Nacional de Tecnología Industrial; Argentina. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología; ArgentinaFil: Casanova, F.. CIC nanoGUNE; España. Fundación Vasca para la Ciencia; EspañaFil: Stoliar, Pablo Alberto. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología; Argentina. Centre National de la Recherche Scientifique; Francia. Universite de Nantes; FranciaFil: Hueso, L.. Fundación Vasca para la Ciencia; España. CIC nanoGUNE; EspañaFil: Levy, Pablo Eduardo. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área Investigaciones y Aplicaciones no Nucleares; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentin
Resistive switching in rectifying interfaces of metal-semiconductor-metal structures
No full textWe study the electrical characteristics of metal-semiconductor-metal HfO2_x-based devices where both metal-semiconductor interfaces present bipolar resistive switching. The device exhibits an unusual current-voltage hysteresis loop that arises from the non-trivial interplay of the switching interfaces. We propose an experimental method to disentangle the individual characteristics of each interface based on hysteresis switching loops. A mathematical framework based on simple assumptions allows us to rationalize the whole behavior of the device and reproduce the experimental current-voltage curves of devices with different metallic contacts. We show that each interface complementarily switches between a nonlinear metal-semiconductor interface and an ohmic contact.Fil: Zazpe, R.. CIC nanoGUNE; EspañaFil: Stoliar, Pablo Alberto. CIC nanoGUNE; España. Universite de Nantes; Francia. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología; ArgentinaFil: Golmar, Federico. CIC nanoGUNE; España. Instituto Nacional de Tecnología Industrial; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; ArgentinaFil: Llopis, R.. CIC nanoGUNE; EspañaFil: Casanova, F.. CIC nanoGUNE; España. Fundación Vasca para la Ciencia; EspañaFil: Hueso, L.. CIC nanoGUNE; España. Fundación Vasca para la Ciencia; Españ
Jaime Alberto Vélez, el fabulista
No full textRESUMEN: En este artículo Pablo Montoya Campuzano presenta un análisis poetológico de los libros Un coro de ranas (1999) y Bajo la piel del lobo (2002) del fallecido escritor y colega Jaime Alberto Vélez. El autor fundamenta su constatación sobre la obra tratada, esto es, de que el camino más inteligente que tiene el creador escéptico en la literatura es el de la ironía. La ironía, al igual que el “sarcasmo contenido”, son las estrategias poéticas que aquí se tratan frente a las dos obras citadas. Pero para Montoya estas obras de Vélez, representan un caso aislado debido a la certeza con la cual el poeta lleva a la práctica sus estrategias irónicas y sarcásticas en el marco de la fábula y, en ella, de la crítica a la sociedad masificada. En torno a ella destaca el autor que el poeta, en su “coro de ranas” muestra cómo la exacerbación de los sentidos corresponde a la anulación de la capacidad de juicio y a la neurosis. Montoya analiza una obra poética marcada por el escepticismo y por la desconfianza frente a la normatividad, el control y la acción ciega de las masas.ABSTRACT: In this article Pablo Montoya Campuzano presents a poetological analysis of Un coro de ranas (1999) and Bajo la piel del lobo (2002) books of the deceased writer and colleague Jaime Alberto Vélez. The author founds his establishments over the work he presents; this refers to the most intelligent way of the skeptic creator in literature: irony. Irony and “restrained sarcasm” are the poetic strategies of the author here studied. The works of Vélez represent for Montoya an isolated case due to the certainty the poet puts in practice to show his ironic and sarcastic strategies in the frame of the fable and in this one, the critic to the massed society. Around this, the author emphasizes that the poet in his “coro de ranas” shows how the exacerbation of the senses corresponds to the annulment of the capacity of judgment and to the neurosis. Montoya analyses a poetic work marked by skepticism and distrust in front of the norm, control and blind action of the masses.COL000468
Jaime Alberto Vélez, el fabulista
No full textIn this article Pablo Montoya Campuzano presents a poetological analysis of Un coro de ranas (1999) and Bajo la piel del lobo (2002) books of the deceased writer and colleague Jaime Alberto Vélez. The author founds his establishments over the work he presents; this refers to the most intelligent way of the skeptic creator in literature: irony. Irony and “restrained sarcasm” are the poetic strategies of the author here studied. The works of Vélez represent for Montoya an isolated case due to the certainty the poet puts in practice to show his ironic and sarcastic strategies in the frame of the fable and in this one, the critic to the massed society. Around this, the author emphasizes that the poet in his “coro de ranas” shows how the exacerbation of the senses corresponds to the annulment of the capacity of judgment and to the neurosis. Montoya analyses a poetic work marked by skepticism and distrust in front of the norm, control and blind action of the masses.En este artículo Pablo Montoya Campuzano presenta un análisis poetológico de los libros Un coro de ranas (1999) y Bajo la piel del lobo (2002) del fallecido escritor y colega Jaime Alberto Vélez. El autor fundamenta su constatación sobre la obra tratada, esto es, de que el camino más inteligente que tiene el creador escéptico en la literatura es el de la ironía. La ironía, al igual que el “sarcasmo contenido”, son las estrategias poéticas que aquí se tratan frente a las dos obras citadas. Pero para Montoya estas obras de Vélez, representan un caso aislado debido a la certeza con la cual el poeta lleva a la práctica sus estrategias irónicas y sarcásticas en el marco de la fábula y, en ella, de la crítica a la sociedad masificada. En torno a ella destaca el autor que el poeta, en su “coro de ranas” muestra cómo la exacerbación de los sentidos corresponde a la anulación de la capacidad de juicio y a la neurosis. Montoya analiza una obra poética marcada por el escepticismo y por la desconfianza frente a la normatividad, el control y la acción ciega de las masas
Non-volatile multilevel resistive switching memory cell: A transition metal oxide-based circuit
No full textWe study the resistive switching (RS) mechanism as way to obtain multi-level memory cell (MLC) devices. In a MLC more than one bit of information can be stored in each cell. Here we identify one of the main conceptual difficulties that prevented the implementation of RS-based MLCs. We present a method to overcome these difficulties and to implement a 6-bit MLC device with a manganite-based RS device. This is done by precisely setting the remnant resistance of the RS-device to an arbitrary value. Our MLC system demonstrates that transition metal oxide non-volatile memories may compete with the currently available MLCs. Index Terms?Multilevel cell, Resistive switching, Non-volatile memory, ReRAM .Fil: Stoliar, Pablo Alberto. Universidad Nacional de San Martin. Escuela de Ciencia y Tecnología. Centro Internacional de Estudios Avanzados.; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Gerencia de Investigación y Aplicaciones; ArgentinaFil: Levy, Pablo Eduardo. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Gerencia de Investigación y Aplicaciones; ArgentinaFil: Sánchez, María José. Comisión Nacional de Energía Atómica; ArgentinaFil: Leiva, A. G.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Gerencia de Investigación y Aplicaciones; Argentina. Universidad Nacional de San Martin. Escuela de Ciencia y Tecnología. Centro Internacional de Estudios Avanzados.; ArgentinaFil: Albornoz, C.A.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Gerencia de Investigación y Aplicaciones; ArgentinaFil: Gomez Marlasca, F.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Gerencia de Investigación y Aplicaciones; ArgentinaFil: Zanini, A.. Universidad de Buenos Aires; ArgentinaFil: Toro Salazar, Cinthya Emma. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Gerencia de Investigación y Aplicaciones; ArgentinaFil: Ghenzi, N.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Constituyentes. Gerencia de Investigación y Aplicaciones; ArgentinaFil: Rozenberg, M. J.. Universidad de Buenos Aires; Argentin
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