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La particolare evoluzione del dittongo ua nella varietà italo-albanese di S. Nicola dell'Alto, in provincia di Crotone
No full textIl lavoro analizza la particolare evoluzione che il dittongo albanese 'ua' ha subìto nella parlata italo-albanese di S. Nicola dell'Alto. Esso, infatti, è passato a 'ue' in alcuni pronomi e verbi, mentre nei nominali si è monottongato
Confini prosodici e variazione segmentale. Analisi acustica dell’alternanza monottongo/dittongo in alcuni dialetti dell’Italia meridionale
No full textIn questo contributo vengono presentati i primi risultati di un’indagine acustica, condotta su un fenomeno di alternanza sincronica tra esiti monottongali e esiti dittongali di
alcune variabili vocaliche in quattro dialetti dell’Italia meridionale. L’analisi dei dati, limitata per il momento a Pozzuoli e Torre Annunziata, mette in evidenza due aspetti fondamentali di questo fenomeno, entrambi legati alla posizione delle variabili vocaliche nella struttura prosodica: l’allungamento prepausale e la tendenza delle varianti dittongali a emergere nella posizione finale di sintagma intonativo. L’alternanza monottongo/dittongo in questi dialetti rientra quindi tra i fenomeni di variazione fonetica che dipendono dalla posizione nella struttura prosodica e che forniscono al parlante indici acustici per la segmentazione della catena parlata in costituenti prosodici. Rispetto ad altre ricerche che hanno indagato il rapporto tra confini prosodici e variazione segmentale, utilizzando in genere materiale prodotto ad hoc in laboratorio, il presente lavoro si distingue per l’uso di parlato spontaneo relativo a varietà substandard quali i dialetti italiani
Observation of substrate-type inversion in high resistivity silicon structures irradiated with high-energy electrons
No full textRadiation damage of silicon structures with electrons of 900 MeV
No full textWe present first results on the irradiation of double-sided silicon microstrip detectors and test structures performed at the Elettra synchrotron radiation facility at Trieste, Italy. The devices were irradiated with 900 MeV electrons. The test structures we used for studying bulk, surface and oxide irradiation damage were guard ring diodes, gated diodes and MOS capacitors. The test structures and the double-sided microstrip detectors were produced by Micron Semiconductor Ltd. (England) and IRST (Trento, Italy). For the first time, bulk-type inversion is observed to occur after high-energy electron irradiation. Current and inter-strip resistance measurements performed on the microstrip detectors show that the devices are still usable after type inversion. (C) 2002 Elsevier Science B.V. All rights reserved
Measurement of the branching fraction and photon energy moments of B -> Xs gamma and ACP(B -> X(s+d) gamma)
No full textInclusive Lambda_c+ production in e+e- annihilations at sqrt(s) = 10.54 GeV and in Y(4S) decays
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Studies of radiation damage by 900 MeV electrons on standard and oxygen enriched silicon devices
No full textStudies of radiation damage by 900 MeV electrons on standard and oxygen enriched silicon devices
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