9 research outputs found
Constructive methods of functioning assurance of memory microcircuits at radiation influence
No full textINFLUENCE OF GAMMA RADIATION ON MOS/SOI TRANSISTORS
No full textThe results of experimental researches of influence of gamma radiation Со60 on test MOS/SOI transistors with different constructive-technologic features and electrical modes are submitted
Maintenance of Serviceability of Various Perspective Semiconductor Devices at Radiation Influence
No full text
Визначні особистості литовськоруської держави: український контекст.
No full textThe article deals with the issues of the influence of the historical person on the socio-political, economic and cultural events of the history of Ukraine in Lithuanian-Russian period. The analysis of the researches of the scientific work of the outlined problem, in particular works of L. Voitovich, M. Hrushevsky, N. Polonskaya-Vasilenko, O. Rusina, F. Shabuldo and other researchers, gave an opportunity to generalize foreign and domestic experience of studying the personality, to determine the principles of activity of the Lithuanian princes in the Ukrainian lands of the designated period. Separate personalities are devoted to the articles of S. Polechov, V. Sentjunovich-Berezhnyj, B. Buchynsky, V. Lastovsky, V. Shcherbak, V. Serhiychuk.In the article, we focused on considering the life paths of prominent statesmen of the Lithuanian-Russian period had a significant influence on the Ukrainian lands. The discussions between historians about the role of aristocratic princely families in the history of Ukraine have raised our interest in the problem and made it possible to highlight the activities of the most prominent representatives of the history of Ukraine and Lithuania from the XIV – the middle of the XV century.In the course of the study there were discrepancies in biographies, namely in the information about the dates of birth, the composition of their families, the early years of life and the appearance on the political arena, which we tried to eliminate in our study.У статті розглянуто вплив історичної особи на соціально-політичні, економічні та культурні події історії України у литовсько-руську добу. Аналіз досліджень наукового доробку окресленої проблеми, зокрема робіт М. Грушевського, Н. Полонської-Василенко, Л. Войтовича, О. Русиної, Ф. Шабульдо та інших дослідників дали можливість узагальнити зарубіжний і вітчизняний досвід вивчення особистості, визначити принципи діяльності литовських князів в українських землях означеного періоду. Окремим особистостям присвячені статті С. Полехова, В. СентюновичаБережного, Б. Бучинського, В. Ластовського, В. Щербака, В. Сергійчука.У статті погляд зосереджено на розгляді життєвих шляхів видатних державних діячів литовсько-руської доби, які мали значний вплив на поступ українських земель. Саме дискусії між істориками щодо ролі аристократичних князівських родин в історії України викликають зацікавленість і зробили можливим висвітлення діяльності найяскравіших представників історії України та Литви XIV – середини XV ст.У ході дослідження були виявлені різночитання в біографіях, зокрема у відомостях про дати народження, склад родин, ранні роки життя та появу на політичній арені, усунення яких стало одним із завдань дослідження
Ю.В. БОГАТЫРЕВ, С.Б. ЛАСТОВСКИЙ, С.А. СОРОКА*, С.В. ШВЕДОВ*, Д.А. ОГОРОДНИКОВ
No full textThe results of experimental researches of influence of gamma radiation Со60 on test MOS/SOI transistors with different constructive-technologic features and electrical modes are submitted.Приведены результаты исследований влияния гамма-излучения Со60 на характеристики тестовых МОП/КНИ-транзисторов с различными конструктивно-технологическими особенностями и электрическими режимами
Influence of gamma radiation on MOS/SOI transistors
No full textПриведены результаты исследований влияния гамма-излучения Со60 на характеристики
тестовых МОП/КНИ-транзисторов с различными конструктивно-технологическими
особенностями и электрическими режимами. The results of experimental researches of influence of gamma radiation Со60 on test MOS/SOI
transistors with different constructive-technologic features and electrical modes are submitted
Влияние ионизирующего излучения на параметры p-канальных МОП-транзисторов
No full textThe results of experimental studies of the influence of gamma radiation Co60 on the basic parameters of silicon epitaxial-planar p-channel MOSFET transistors under different electrical modes are presented. Transistors were manufactured according to radiation-resistant DMOS technology with design standards of 1.4 μm. As a result of transistor studies, it was established that the values of all basic parameters after the radiation dose D = 106 rads (SiO2) in active electrical irradiation modes remained within the limits of the performance criteria; the parameter, most sensitive to influence of a dose of irradiation by gamma-quanta is the threshold voltage; in the passive electrical irradiation mode the transistor’s radiations resistance in all parameters corresponds to a dose of 2,8·106 rads (SiO2). A sufficiently high radiation resistance of the studied p-channel MOSFETs makes it possible to recommend them for use in aviation and space equipment. The different degrees of radiation degradation of the studied parameters during irradiation are due to their dependence either on the effects of ionization in the layers of sub-gate and insulating dielectrics, or structural damage in the bulk silicon of the transistor active regions. The high radiation resistance of the studied p-channel MOSFETs allows recommending them for use in aviation and space equipment.Представлены результаты экспериментальных исследований влияния гамма-излучения Со60 на основные параметры кремниевых эпитаксиально-планарных p-канальных МОП-транзисторов при различных электрических режимах. Транзисторы изготовлены по радиационно-стойкой ДМОП-технологии с проектными нормами 1,4 мкм. В результате исследований транзисторов установлено: значения всех основных параметров после дозы облучения D = 106 рад (SiO2) в активных электрических режимах облучения остались в пределах критериев работоспособности; наиболее чувствительным к воздействию дозы облучения гамма-квантами является пороговое напряжение; в пассивном электрическом режиме облучения стойкость транзисторов по всем параметрам соответствует дозе 2,8·106 рад (SiO2). Показано, что разная степень радиационной деградации исследуемых параметров при облучении обусловлена их зависимостью либо от эффектов ионизации в слоях подзатворных и изолирующих диэлектриков, либо от структурных нарушений в объемном кремнии активных областей транзисторов. Высокая радиационная стойкость исследованных р-канальных МОП-транзисторов позволяет рекомендовать их для использования в аппаратуре авиационной и космической техники
