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Analysis and modeling of small-geometry effects on maximum cutoff frequency fT and forward transit time in downscaled bipolar transistors
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Riforma e problematiche della portualita'
No full textL’analisi effettuata nel capitolo, la cui redazione è stata coordinata da F. Munari, muove dagli scenari globali, europei e nazionali sui mercati e i flussi di traffico caratterizzanti il trasporto marittimo e porti (par. 1, redatto da L. Antonellini e P. Costa). Tali scenari vengono confrontati sia coi documenti programmatici del Governo (il Piano Strategico Nazionale sui Porti e la Logistica, l’Allegato Infrastrutture 2017 al DEF), sia con le norme adottate a livello nazionale (d.lgs. n. 169/2016 di riforma della l. n. 84/1994) ed europeo (Regolamento 352/2017), evidenziandone gli elementi positivi e le criticità (par. 2 di L. Antonellini e F. Munari; par. 4 di F. Munari; par. 5 di P. Costa). Sulla riforma portuale, pur dando atto delle buone intenzioni del legislatore, il rapporto evidenzia ritardi e imperfezioni attuative, che potrebbero pregiudicarne le potenzialità e dovrebbero quindi essere rimediate quanto prima (par. 2 di L. Antonellini e F. Munari e par. 4 di F. Munari). Particolare attenzione viene quindi rivolta alla pianificazione e alle modalità di scelta di finanziamento delle dotazioni infrastrutturali (par. 3 e 5 redatti rispettivamente da P. Spirito e P. Costa): con taluni distinguo anche rispetto agli interventi da compiere, si sottolinea l’assoluta necessità di criteri e metodologie obiettive e credibili nella selezione degli interventi infrastrutturali, tanto più considerati (a) i vincoli di finanza pubblica e l’esigenza di non disperdere risorse e tempi con (annunci di) interventi «a pioggia» e non ancorati ad alcun disegno strategico né sistemico e (b) la circostanza che le non-scelte risultano ulteriormente penalizzanti nel contesto globale dove altri si muovono invece rapidamente. Presupposti comunque necessari per una politica degli investimenti in infrastrutture portuali e logistiche appaiono, da un lato, una valutazione ex ante delle loro ricadute al servizio di una policy non limitata ai porti, bensì funzionale all’intera catena logistica, agli stessi centri produttivi del Paese, e ai flussi prospettici dei grandi traffici globali; dall’altro lato, una visione strategica degli investimenti da compiersi, in due direzioni: (a) svincolarsi da logiche prevalentemente conservative e al massimo migliorative di infrastrutture esistenti (molte delle quali comunque inadeguate a sostenere nel lungo periodo una presenza importante del nostro Paese nella catena produttiva e logistica globale); (b) puntare su obiettivi di eccellenza e di ampio respiro, capaci di segnare una discontinuità rispetto alle inadeguatezze del nostro sistema infrastrutturale, a costo di operare scelte selettive marcate. Ciò non significa puntare esclusivamente a intercettare progetti globali, come lo One Belt One Road, ma sviluppare anche la posizione mediterranea del nostro Paese e la vocazione dell’Italia a porsi come punto di riferimento per il Nord Africa e il Medio Oriente
A two-dimensional analytical model for the output I-V characteristics of the static induction transistor (SIT)
No full textOn the basis of the physical picture obtained by a detailed two-dimensional numerical simulation, an analytical model is developed for the output I-V characteristics of a static induction transistor (SIT). The model is able to explain the output I-V curves from the exponential shape in the low-current range to the triodelike I-V curve shape and linear behavior in the high-current range. The comprehensive analytical model obtained gives results that are in very good agreement with the numerical simulations and can be used to assess the influence of the various geometrical and physical parameters on the performance of the device
An Improved Model for the Extraction of Strongly Spatial Dependent Lifetimes with a.c. Lifetime Profiling Technique
No full textA self-consistent model for the SIT DC characteristics
No full textAn analytical model is developed for the DC characteristics of the static induction transistor (SIT). The model is based on an accurate two-dimensional solution for the potential distribution in the device and is able to explain the I-V curves of the SIT in the full range of the bias condition, with good agreement with the results of numerical simulations. The analytical model is used to study the influence of the main geometrical and physical parameters of the device on its electrical characteristic
A new PiN diode modelling approach for power electronic PSPICE simulations
No full textA new PSPICE subcircuit model for power PiN diodes is presented. The model is based on an equivalent circuit representation for the base region, obtained by rational approximation of Laplace transform solution of the ambipolar diffusion equation. Good agreement has been obtained by comparing the results of the proposed PIN diode model with numerical device simulation
An Improved Test Structure for Recombination Lifetime Profile Measurements in Very Thick Silicon Wafers
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