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Correction to: Myoclonic dystonia phenotype related to a novel calmodulin-binding transcription activator 1 sequence variant.
No full textThe affiliation of author Robert Jech was incorrectly indicated in the originally published version of this paper
Liftings for noncomplete probability spaces
No full textThe current state of knowledge concerning liftings for noncomplete probability spaces is discussed. This is a somewhat expanded version of the author's talk given at the 1991 Summer Conference on General Topology and Applications in Honor of Mary Ellen Rudin and Her Work.PT: S; CR: BURKE MR, IN PRESS P AM MATH S BURKE MR, 1991, ISRAEL J MATH, V73, P33 BURKE MR, 1992, ISRAEL J MATH, V79, P289 CARLSON T, THEOREM LIFTING CHRISTENSEN JPR, 1974, TOPOLOGY BOREL STRUC FREMLIN DH, 1989, HDB BOOLEAN ALGEBRAS, P877 INOESCUTULCEA A, 1966, 5TH P BERK S MATH ST, V2 IONESCUTULCEA A, 1967, CONTRIBUTIONS PROB 1, P63 IONESCUTULCEA A, 1969, TOPICS THEORY LIFTIN JECH TJ, 1978, SET THEORY JOHNSON RA, 1980, P AM MATH SOC, V80, P234 JUST W, IN PRESS T AM MATH S KUPKA J, 1983, INDIANA U MATH J, V32, P717 LOSERT V, 1983, LNM, V1080, P95 MAHARAM D, 1958, P AM MATH SOC, V9, P987 SHELAH S, 1983, ISRAEL J MATH, V45, P90 TALAGRAND M, 1982, P AM MATH SOC, V84, P379 VONNEUMANN J, 1931, CRELLES J MATH, V165, P109; NR: 18; TC: 0; J9: ANN N Y ACAD SCI; PG: 4; GA: BZ86BSource type: Electronic(1
Charakterisierung von Hot Carrier Degradation in Siliziumtransistoren
No full textEinzelne Defekte in der atomaren Struktur von Metall–Oxid–Halbleiter–Feldeffekttransistoren (MOSFETs) stellen eine ernstzunehmende Bedrohung für die Performance der Bauelemente dar. Solche Defekte werden entweder bei der Herstellung eingebaut oder entstehen im Normalbetrieb. In diesem Zusammenhang spielen Bias–Temperature–Instability und Hot–Carrier–Degradation (HCD), welche üblicherweise eine Erhöhung der Schwellenspannung und Verringerung der Unterschwellensteilheit bewirken, die bedeutendsten Rollen für die Zuverlässigkeit moderner Halbleiterbauelemente. Unter HCD versteht man die Erzeugung von Defekten durch das Aufbrechen von Si–H–Bindungen an der Si/SiO 2 –Grenzschicht in Transistoren durch Wechselwirkung mit energiereichen, oder heissen, Ladungsträgern. Ursprünglich wurde erwartet, dass der Effekt bei immer kleiner werdenden Transistoren verschwindet, jedoch hat sich gezeigt, dass HCD auch in skalierten Bauelementen, in denen hauptsächlich energiearme, oder kalte, Ladungsträger vorkommen, eine maßgebliche Rolle spielt. Obwohl eine Vielzahl an Modellen zur Beschreibung von HCD existieren, sind die zugrunde liegenden Mechanismen bis heute nicht vollständig erklärt. Diese Arbeit widmet sich der detailierten Untersuchung von HCD in SiON MOSFETs mit verschiedenen Gate–Längen. Zuerst werden die Transistoren mit am Institut für Mikroelektronik speziell angefertigen Messgeräten sorgfältig vermessen. Danach werden die verfügbaren Messdaten unter Verwendung des von Tyaginov et al. entwickelten HCD–Modells erklärt. Das Modell verwendet dazu die Ladungsträgerverteilungsfunktionen während der Stressphasen und beschreibt die Beiträge von heißen und kalten Ladungsträgern zur Defekterzeugung. Die benötigten Verteilungsfunktionen der untersuchten Transistoren werden durch Lösen der Boltzmann-Gleichung mittels Spherical-Harmonics-Expansion ermittelt. Aus den ermittelten Verteilungsfunktionen werden mithilfe des HCD–Modells Defektprofile berechnet. Um die Ergebnisse zu überprüfen, werden die Defektprofile zusätzlich experimentell ermittelt und mit den Messdaten verglichen. Die durchgeführten Experimente zeigen eindeutig, dass die Auswirkungen von HCD auf Langkanaltransistoren stärker sind als auf die untersuchten Kurzkanaltransistoren. Außerdem wird beobachtet, dass die Genauigkeit der Simulationen stark von den von Stoßionisation verursachten Beiträgen zu den Ladungsträgerverteilungsfunktionen abhängt. Schlussendlich können die Degradationsmessungen mit den verwendeten Defektmodellen konsistent erklärt werden.Single defects in the atomic structure of metal-oxide-semiconductor transistors (MOSFETs) are a serious threat for device performance. Such defects can either be incorporated during the device fabrication process or, even worse, defects can be generated during normal device operation. In this context, bias temperature instabilities and hot-carrier degradation (HCD) are the most prominent reliability issues in modern transistor technologies and are typically responsible for a shift of the device threshold voltage and a reduction of the subthreshold slope. More detailed, HCD refers to the depassivation of Si–H bonds at the semiconductor–insulator interface, generating electrically active defects in the process. While HCD was originally believed to be exclusively caused by high–energy, or hot carriers and would disappear with device scaling, it has been found that the effect is actually more severe within scaled devices, since multiple low–energy, or cold carriers can trigger the effect as well. While several empirical and physics-based models have been developed to describe the effect, its subtleties are still not completely understood. Within this work, HCD in SiON MOSFETs with various gate lengths is investigated more closely. First the packaged devices are carefully measured using the custom made defect probing framework of the Institute for Microelectronics. Next, the measurement data at hand is explained by employing the physics based HCD model developed by Tyaginov et al. This model relies on the carrier distribution functions during stress phases, and describes the contributions of both hot and cold carriers to the defect generation process properly. The required carrier distribution functions of the investigated devices are obtained solving the Boltzmann Transport Equation using spherical harmonics expansion. From the obtained DFs, defect distribution profiles are calculated through the HCD model. For the purpose of validation, defect profiles are also obtained experimentally and compared to the simulation results. The conducted experiments clearly reveal that HCD is more pronounced in long channel devices than in the investigated short channel transistors. It has also been observed, that the accuracy of the simulations is strongly sensitive to the carrier distribution functions considering impact ionization. Finally the degradation measurements can be consistently explained by the employed physical defect models
Shelah's pcf theory and its applications
No full textThis is a survey paper giving a self-contained account of Shelah's theory of the pcf function pcf(a) = {cf(PI a/D, < D): D is an ultrafilter on a}, where a is a set of regular cardinals such that \a\ < min(a). We also give several applications of the theory to cardinal arithmetic, the existence of Jonsson algebras, and partition calculus.PT: J; CR: DEVLIN KJ, 1973, ANN MATH LOGIC, V5, P291 EASTON WB, 1970, ANN MATH LOGIC, V1, P139 ERDOS P, 1984, COMBINATORIAL SET TH GALVIN F, 1975, ANN MATH, V101, P491 GITIK M, SINGULAR CARDINALS P JECH T, CONJECTURE TARSKI PR JECH T, IN PRESS TRIBUTE P E JECH TJ, 1978, SET THEORY KUNEN K, 1980, STUDIES LOGIC F MATH, V102 RUBIN M, 1987, ANN PURE APPL LOGIC, V33, P43 SHELAH S, ALEPH OMEGA PLUS ONE SHELAH S, CARDINAL ARITHMETIC SHELAH S, IN PRESS ARCH MATH L SHELAH S, MORE PCF SHELAH S, 1978, ISRAEL J MATH, V30, P57 SHELAH S, 1980, J SYMBOLIC LOGIC, V45, P56 SHELAH S, 1980, STUD LOGIC FDN MATH, V95, P373 SHELAH S, 1982, LECTURE NOTES MATH, V940 SHELAH S, 1986, NOTRE DAME J FORM L, V27, P263 SHELAH S, 1987, ISRAEL J MATH, V59, P299 SHELAH S, 1988, ISRAEL J MATH, V62, P213 SHELAH S, 1988, ISRAEL J MATH, V62, P355 SILVER J, 1974, P INT C MATH, V1, P265 TODORCEVIC S, 1986, COMPOS MATH, V57, P357 TODORCEVIC S, 1987, ACTA MATH-DJURSHOLM, V159, P261 TODORCEVIC S, 1989, CONT MATH, V84; NR: 26; TC: 27; J9: ANN PURE APPL LOGIC; PG: 48; GA: EU720Source type: Electronic(1
The SF-36: a simple, effective measure of mobility disability for epidemiological studies
No full textBackgroundMobility disability is a major problem in older people. Numerous scales exist for the measurement of disability but often these do not permit comparisons between study groups. The physical functioning (PF) domain of the established and widely used Short Form-36 (SF-36) questionnaire asks about limitations on ten mobility activities.ObjectivesTo describe prevalence of mobility disability in an elderly population, investigate the validity of the SF-36 PF score as a measure of mobility disability, and to establish age and sex specific norms for the PF score.MethodsWe explored relationships between the SF-36 PF score and objectively measured physical performance variables among 349 men and 280 women, 59-72 years of age, who participated in the Hertfordshire Cohort Study (HCS). Normative data were derived from the Health Survey for England (HSE) 1996.Results32% of men and 46% of women had at least some limitation in PF scale items. Poor SF-36 PF scores (lowest fifth of the gender-specific distribution) were related to: lower grip strength; longer timed-up-and-go, 3m walk, and chair rises test times in men and women; and lower quadriceps peak torque in women but not men. HSE normative data showed that median PF scores declined with increasing age in men and women.ConclusionOur results are consistent with the SF-36 PF score being a valid measure of mobility disability in epidemiological studies. This approach might be a first step towards enabling simple comparisons of prevalence of mobility disability between different studies of older people. The SF-36 PF score could usefully complement existing detailed schemes for classification of disability and it now requires validation against them
Hopf index in an SU(2) field theory
No full textGeladene Teilchen können im Rahmen des \textit{Modells topologischer Fermionen} als stabile Solitonkonfigurationen eines -wertigen Feldes formuliert werden. Die Bewegungsgleichungen und die Lagrangedichte dieses Modells sind in Kapitel 1 beschrieben. Weit entfernt der Solitonzentren, im sogenannten elektrodynamischen Grenzfall, verschwindet die potentielle Energie und das Feld bevorzugt Werte auf einer -dimensionalen Kugel, . Die Bewegungsgleichungen vereinfachen sich dabei. Für solitonische Lösungen mit endlicher Energie, strebt das Feld im Unendlichen gegen einen konstanten Vakuumwert . Derricks-Theorem zeigt dabei, dass in drei- oder mehr Raumdimensionen stationäre lokalisierte Lösungen der Bewegungsgleichungen instabil sind. Es gibt jedoch stabile solitonische Lösung, die sich mit Lichtgeschwindigkeit bewegen. Dies legt nahe, Photonen, die Austauschteilchen der elektromagnetischen Wechselwirkung, mit Hilfe des -Feldes zu beschreiben. Der konstante Vakuumwert erlaubt eine Einpunktkompaktifizierung des , der damit homöomorph zu einer wird. Für eine fixe Zeit beschreibt daher das Feld eine Abbildung . Wie Heinz Hopf 1931 gezeigt hat, können solche Abbildungen durch eine topologische Invariante, die Hopf-Zahl, klassifiziert werden. Diese Klassifizierung ist das zentrale Thema dieser Arbeit. In der Hopf-Abbildung wird jeder Großkreis der , auch Faser genannt, auf genau einen Punkt der abgebildet. Die Hopf-Faserung ist nicht einfach das Produkt , sondern ein nicht-triviales Hauptfaserbündel mit -Fasern über der Basis . Betrachtet man zwei beliebige, durch stereographische Projektion der , im liegende Fasern, erkennt man, dass diese miteinander verschlungen sind. Die Verschlingungszahl der Urbilder zweier Punkte ist die oben erwähnte Hopf-Invariante. Die Berechnung der Hopf-Zahl im erlaubt es, die Feldkonfigurationen des \textit{MTF} mit einer topologische Quantenzahl zu klassifizieren. Die erste direkte Möglichkeit zur Bestimmung des Hopf-Index wurde von Whitehead \cite{Whitehead1947} in Form eines Volumsintegrals von zwei Vektorfeldern gefunden. Für die beiden Vektorfelder gelten dabei analoge Relation wie für das magnetische Feld und das Vektorpotential in der Elektrodynamik. Die Berechnung benutzt die Definiton des Pullback in der Differentialgeometrie, um eine Flächenform der mit einer Flächenform der zu verbinden. Damit kann anschließend ein reguläres Vektorpotential im definiert werden, mit Hilfe dessen man die Hopf-Zahl berechnen kann. Wir stellen eine Möglichkeit zur Verallgemeinerung der Berechnung des Vektorpotentials vor. Mit Hilfe des Poincar\'{e}-Lemmas kann im zu jeder geschlossenen -Form, in der Sprache der Vektoranalysis , ein Vektorpotential , auch -Form genannt, gefunden werden, sodass die Bedingung erfüllt ist. Da dieses Vektorpotential nicht eindeutig bestimmt ist, können wir eine Beziehung zu Eichtransformationen herstellen. Weiters wurde in \cite{Whitehead1947} die Äquivalenz des -dimensionalen Volumsintegrals und des -dimensionalen Kurvenintegrals über eine beliebige Faser bewiesen. Der Integrand des Kurvenintegrals kann dabei als Drehgeschwindigkeit der Fasern interpretiert werden. Wir haben eine Möglichkeit gefunden die Hopf-Invariante, die gleichbedeutend mit der Verschlingungszahl ist, mit Hilfe eines -dimensionalen Integrals zu berechnen, indem wir die Holonomie, die durch den Paralleltransport von Vektoren entlang geschlossener Kurven im induziert wird, berücksichtigen. Den solitonischen Lösungen der Bewegungsgleichungen können wir dadurch eine topologische Quantenzahl zuordnen, die es erlaubt, Photonfelder zu klassifizieren.Charged particles can be described within the \textit{Model for Topological Fermions} as stable solitonic configurations of an field . The lagrangian density and the equations of motion are specified in chapter 1. At large distances from the center of solitons, the electrodynamic limit, the potential energy vanishes and the degrees of freedom of the describing field are restricted to the sphere, . The equations of motion are reduced to a simplified formulation in this case. In order to get solitonic solutions with finite energy, is assumed to tend at infinity to some constant vacuum value . Derrick's theorem shows that in spatial three dimensions or higher no stationary localized solution of the equations of motion is stable. For any stable solution this implies to move with the speed of light. Therefore it seems reasonable to describe photons, the exchange particles of the electromagnetic interaction, by means of the field . The constant vacuum value allows the one point compactification of the real space , and defines a homeomorphism to an . For some fixed time , the solution defines a map . In 1931 Heinz Hopf showed that such maps are homotopically non-trivial and can be classified by a topological invariant, the Hopf index. This classification is the central subject of this work. The Hopf map projects each great circle of , a fiber, onto distinct points of . is not just the product , it is an example of a non-trivial fiber bundle with fibers over the base space . Stereographic projection , shows that any two fibers are linked. The Hopf invariant can be understood as the linking number of the preimages of two points of . The \textit{MTF's} field configurations can be classified by a topological quantum number, the Hopf index in the real space . As shown in \cite{Whitehead1947}, the first direct formula for Hopf invariant was found by Whitehead as a volume integral of two vector fields. They obey the same relations as the magnetic field and the vector potential in electrodynamics. The calculation uses the definition of the pullback in differential geometry to associate an area form on with an area form on . Thereby a regular vector potential can be defined in to calculate the Hopf invariant. Using the Poincar\'{e} Lemma we get a generalized calculation of the vector potential . In the Poincar\'{e} Lemma guarantees the existence of a form, a vector potential , for any closed form, , satisfying the condition . Because the vector potential is not uniquely defined, we can draw a connection to gauge transformations. Moreover the equivalence of the dimensional volume integral and the dimensional line integral of an arbitrary fiber was proofed in \cite{Whitehead1947}. The integrand of the line integral can be interpreted as the fiber's rotation speed. We established a dimensional integral formulation of the Hopf invariant, which is equivalent to the linking number, by including the holonomy, produced by the parallel transport of a vector along a closed curve in . Thus we can assign a topological quantum number to the solitonic solution of the equations of motion, this allows us to classify photon fields
Die Physik von Zuverlässigkeitsphänomenen im Nichtgleichgewicht
No full textContinuous downscaling of silicon based technology enabled by Moore's law is still the main focus of the international roadmap for devices and systems (IRDS). The currently implemented 7nm nodes inside modern smartphones and processors will be soon replaced by 5nm nodes which are in production now. While these nodes do no longer correspond to physical dimensions, as for instance the 5nm node has a gate length of 18nm, this dramatic reduction in size from the original micrometer-sized regime is indeed impressive. Even more astonishing, the 1nm node, based on gate-all-around devices and 3D integration, is expected to be ready at the end of the decade to satisfy the emerging trend for ultra-low-power devices with "always on" features used in upcoming applications such as cloud-based and mobile computing, sensing and, of course, Internet-of-Things.However, this ongoing trend drives the involved materials - channel materials (Si, Ge) and amorphous oxides (SiO2, HfO2) alike - closer towards their physical limitations. Considering that 1nm is scarcely the width of five silicon layers implies that novel device architectures with gate lengths within the nanometer regime contain a countable number of atoms in the active region. As a consequence, device reliability and variability is strongly influenced by quantum mechanical effects caused by the atomistic nature of modern transistor architectures. For example, individual defects at or near the Si/SiO2 interface, which are known to be responsible for reliability issues such as bias temperature instability BTI) and hot-carrier degradation (HCD), increasingly affect the behavior of the device. In order to understand these effects, the focus therefore has to be shifted towards atomistic simulations and approaches, such as ab initio methods, to investigate and reveal the physics behind these adverse phenomena.In this sense, this thesis focuses on the interaction of non-equilibrium charge carriers with hydrogen-related defects and precursors in semiconductor devices. A major part of this work focuses on the investigation of the Si/SiO2 interface and the microscopic nature of Si-H bond breakage. Various available ab initio methods, including the methods of well-tempered metadynamics, nudged--elastic--band calculations and the modern theory of polarization based on density functional theory (DFT) have been used to study the Si-H bond within its realistic 3D environment. In addition, to capture the excitation and breaking dynamics of the Si-H bond due to the coupling with its surrounding, particularly the interaction with energetic charge carriers, a quantum kinetic framework has been developed. In addition, the influence of non--equilibrium carrier distributions onto the charging and discharging kinetics of defects in the oxide has been investigated. The state-of-the-art modeling framework based on nonradiative multiphonon theory NMP) has been extended to replace the previously used equilibrium carrier distribution by a realistic non-equilibrium distribution obtained from a solution of the Boltzmann transport equation which goes far beyond existing approaches.Ultimately, the individual modeling approaches have been benchmarked and validated against dedicated measurement sets, revealing interesting new phenomena and insights into the degradation dynamics. Furthermore, a comprehensive study on the degradation and recovery dynamics in full bias space is a special challenge and highlight. The full simulation framework, covering the charge transition kinetics of oxide defects as well as the creation of interface states, provides a physical understanding of the underlying mechanisms. The supporting analysis definitely challenges the conceptual limits of independent degradation regimes as previously assumed. The presented results and developed methods clearly reveal new degradation physics and can be seen as a next step towards unraveling device reliability issues. Particularly the focus on the microscopic picture of the Si/SiO2 interface can aid future investigations concerning the elusive role of hydrogen in degradation phenomena. Furthermore, the derived approaches are free of empirical parameters and can easily be generalized to describe emerging material combinations such as Ge/GeO2 based devices.Die kontinuierliche Miniaturisierung von Silizium-basierter Technologie, ermöglicht und getrieben durch das Mooresche Gesetz, ist weiterhin ein wichtiger Bestandteil der International Roadmap for Devices and Systems (IRDS). Die aktuell in modernen Smartphones und leistungsstarken Prozessoren verbaute 7nm Technologie wird bald durch noch kleinere und leistungsstärkere 5nm Transistoren ersetzt werden. Obwohl die aktuellen Technologiebezeichnungen nicht mehr mit den eigentlichen physikalischen Dimensionen übereinstimmen, 5nm Transistoren haben eine Gatelänge von 18nm, so ist die deutliche Skalierung der Abmessungen in den letzten Jahre dennoch eindrucksvoll. Noch erstaunlicher ist, dass die zukünftige 1nm Technologie, basierend auf Gate-all-Around Bauteilen und 3D Integration, für das Ende dieses Jahrzehnts erwartet wird um die steigende Nachfrage an Ultra-Low-Power Elektronik für "Always-On" Anwendungen zu befriedigen welche für aufstrebende Bereiche wie Cloud- und Mobile Computing, Sensorsysteme und natürlich Internet-of-Things benötigt wird. Dieser anhaltende Trend bringt die dabei verwendeten Materialien - kristalline Kanal- (Si, Ge) und amorphe Oxidmaterialien (SiO2, HfO2) gleichermaßen -- an ihre physikalischen Grenzen. Angesichts der Tatsache, dass 1nm annähernd der Dicke von fünf atomaren Siliziumschichten entspricht, bedeutet dies für neuartige Bauteilarchitekturen, dass die aktive Kanalregion aus einer abzählbaren Anzahl von Atomen besteht. Daraus resultierend wird die Zuverlässigkeit und Variabilität von Bauelementen immer stärker von quantenmechanischen Effekten geprägt aufgrund der atomaren Natur von modernen Technologien. Daher werden Zuverlässigkeitsphänomene, wie z.B. die Spannungs-Temperaturinstabilität (engl. bias temperature instability, BTI) und die Degradation durch heiße Ladungsträger (engl. hot-carrier degradation, HCD), immer stärker von einzelnen Defekten, welche sich direkt an oder nahe der Si/SiO2 Grenzschicht befinden, beeinflusst. Um die beteiligten Prozesse untersuchen zu können, rücken daher heutzutage atomistische Simulationen immer mehr in den Mittelpunkt, wie z.B. ab initio Methoden, um die Physik und die Mechanismen hinter diesen nachteiligen Phänomenen zu beschreiben. In diesem Sinne konzentriert sich die vorliegende Dissertation auf die Interaktion von Ladungsträgern im Nichtgleichgewicht mit Defekten und chemischen Bindungen im Zusammenhang mit Wasserstoff in Halbleiterbauteilen. Ein Großteil dieser Arbeit verfolgt das Ziel die Si/SiO2 Grenzschicht, und in diesem Zusammenhang, die mikroskopische Natur des Aufbrechens der Si-H Bindung zu untersuchen. Um die Eigenschaften von Si-H Bindungen innerhalb einer möglichst realistischen dreidimensionalen Umgebung zu simulieren und zu charakterisieren wurden verschiedene ab initio Methoden verwendet, wie z.B. well-tempered metadynamics, nudged elastic band Berechnungen und modern theory of polarization basierend auf Dichtefunktionatheorie (DFT). Parallel dazu wurde ein quantenmechanisches Modell zur Beschreibung der Anregungsdynamik und des Aufbrechens des Si-H Bindung entwickelt welches versucht alle relevanten Wechselwirkung mit der Umgebung berücksichtigt, speziell die Interaktion mit energetischen Ladungsträgern im Kanal des Transistors. Darüber hinaus wurde der Einfluss von Ladungsträgern im Nichtgleichgewicht auf das Verhalten von Oxiddefekten und deren Einfang- und Emissionsprozesse von Ladungsträgern untersucht. Dazu wurde das derzeitige Modell, welches auf der Theorie der Übergange mittels nichtstrahlenden Multiphononen (engl. nonradiative multiphonon, NMP) basiert, entsprechend erweitert, sodass eine vollständige Lösung der Boltzmann Transportgleichung berücksichtigt wird. Diese Beschreibung geht weit über die aktuellen Ansätze, welche hauptsächlich auf elektrostatischen Überlegungen aufbauen, hinaus. Die Ergebnisse und Vorhersagen der entwickelten individuellen Modelle wurden schlussendlich mit einer Vielzahl von verschiedenen Messdaten verglichen und erlauben einen Einblick in bisher unentdeckte Phänomene und Verhalten der Degradationsmechanismen. Eine besondere Herausforderung und den Höhepunkt dieser Arbeit stellte die umfassende Modellierung der Degradation und anschließenden Ausheilung (engl. recovery) eines Transistors im gesamtem Spannungsraum dar. Das vollständige Modellsystem, welches sowohl die Dynamik von Oxiddefekten wie auch Erzeugung von Defekten an der Si/SiO2 Grenzschicht umfasst, erlaubt hierbei eine detaillierte physikalische Beschreibung der zugrunde liegenden Mechanismen. Die Simulationsergebnisse sowie umfassende Auswertungen der Ergebnisse zeigen hier klar die konzeptionellen Schwachstellen in der vorherrschenden Annahme von unabhängigen Degradationsregimen. Die hier entwickelten Methoden und Ansätze erlauben neue Erkenntnisse in die Physik von Degradationsprozessen in elektronischen Bauteilen und können als weiterer Puzzlestein zu einem vollständigen Verständnis dieser gesehen werden. Im besonderen der vorliegende Schwerpunkt und die neuen Einblicke in die mikroskopische Struktur der Si/SiO2 Grenzschicht kann als Grundbaustein für weitere Studien bezüglich der noch immer ungeklärten Rolle von Wasserstoff gesehen werden. Abschließend sei noch zu erwähnen, dass die abgeleiteten Formalismen frei von empirischen Parametern sind und somit ebenso auf neue und aufstrebenden Materialkombinationen, wie z.B. Ge/GeO2 basierte Bauteile, anwendbar sind
Weakly dense subsets of the measure algebra
No full textPT: J; CR: CARLSON T, THEOREM LIFTING CICHON J, 1985, P AM MATH SOC, V94, P142 FREMLIN D, 1977, 2 THEOREMS MOKOBODZK FREMLIN DH, 1984, MATHEMATIKA, V31, P323 GOFFMAN C, 1953, REAL FUNCTIONS HALMOS PR, 1950, MEASURE THEORY HODEL, 1984, HDB SET THEORETIC TO JECH TJ, 1978, SET THEORY KUNEN K, 1980, SET THEORY MAGIDOR M, 1977, ISRAEL J MATH, V28, P1 MAHARAM D, 1942, P NATL ACAD SCI USA, V28, P108 OXTOBY JC, 1971, MEASURE CATEGORY RUDIN W, 1983, AM MATH MON, V90, P41 SIKORSKI R, 1964, BOOLEAN ALGEBRAS VANDOUWEN E, IN PRESS HDB BOOLEAN; NR: 15; TC: 3; J9: PROC AMER MATH SOC; PG: 9; GA: AR774Source type: Electronic(1
Images of body weight among young men and women: Evidence from Beirut, Lebanon
No full text[No abstract available]Afifi-Soweid RA, 2002, INT J EAT DISORDER, V32, P52, DOI 10.1002-eat.10037; Cole T.J., 2000, BRIT MED J, V320, P1, DOI DOI 10.1136-BMJ.320.7244.1240; Emslie C, 2001, J EPIDEMIOL COMMUN H, V55, P406, DOI 10.1136-jech.55.6.406; SHEDIACRIZKALLA.MC, 2000, INT Q COMMUNITY HLTH, V20, P115; Sweeting H, 2002, J EPIDEMIOL COMMUN H, V56, P700, DOI 10.1136-jech.56.9.70088
Liftings for Haar measure on {0,1}k
No full textWe call E subset-of-or-is-equal-to {0,1}kappa projective if for some countable A subset-of-or-is-equal-to kappa there is an E(A) subset-of-or-is-equal-to {0,1}A such that E = E(A) x {0,1}kappa/A and E(A) is a projective subset of the Cantor set {0,1}A. We construct a model where Haar measure on {0,1}kappa has no projective lifting (and in particular no Baire lifting) for any kappa greater-than-or-equal-to omega.PT: J; CR: FREMLIN DH, 1989, HDB BOOLEAN ALGEBRAS, P877 JECH TJ, 1978, SET THEORY JUST W, IN PRESS T AM MATH S MAHARAM D, 1958, P AM MATH SOC, V9, P987 SHELAH S, 1983, ISRAEL J MATH, V45, P90; NR: 5; TC: 3; J9: ISR J MATH; PG: 12; GA: GG100Source type: Electronic(1
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