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Elettronica delle microonde. Adattamento, amplificatori a piccolo segnale e oscillatori
No full textLa riforma degli studi universitari, l’introduzione del sistema dei crediti e la trasformazione in moduli didattici compatti hanno avuto un profondo impatto sia sulle modalita` di insegnamento che su quelle di apprendimento degli studenti. La didattica frontale è ora concentrata in cicli intensivi e impone una cadenza di valutazioni, intervallate a prove in itinere, forse troppo serrata e che, in ogni caso, non lascia molto spazio all’approfondimento e alla riflessione, da sempre alla base del processo di apprendimento e di comprensione profonda per ogni disciplina. Malgrado questo, il sistema attuale consente una più rapida formazione di figure professionali, una maggiore efficienza del sistema didattico e sicuramente comporta la necessità di utilizzare al meglio i tempi della didattica, sia frontale che personale. I supporti didattici, sia cartacei che di tipo multimediale, devono così rappresentare la risorsa di base per affrontare la sfida dell’apprendimento.
Questo testo nasce quindi per sopperire ad una carenza che, negli anni passati, si è cercato di colmare utilizzando dispense, trasparenze e materiale didattico di varia natura. Nel suo complesso comunque tale materiale non può surrogare l’unitarietà di un testo appositamente pensato per il determinato insegnamento, soprattutto se l’argomento è, per sua natura, multidisciplinare. L’elettronica delle microonde è infatti una disciplina relativamente giovane, troppo spesso pensata come appendice dei corsi di fisica, di elettromagnetismo o di telecomunicazioni. In realtà molteplici sono le competenze, nessuna delle quali totalizzante, che concorrono a formare il necessario substrato sul quale innestare i circuiti ad alta frequenza,
i loro metodi di progetto e i relativi metodi di analisi
An approach to harmonic load- and source-pull measurements for high-efficiency PA design
No full textHigh-efficiency power-amplifier design requires numerous efforts to investigate both input and output harmonic terminations effects. A simplified theoretical approach to clarify the relevance of such terminations is presented here, and design criteria to improve efficiency for high-frequency applications are briefly discussed. An advanced active load/source-pull test-bench has been used to validate theoretical harmonic tuning techniques, characterizing an active device. The adopted optimization strategy is presented, together with measured results obtained with a medium-power 1-mm MESFET at 1 GHz. Input second harmonic impedances effects are stressed, showing a drain efficiency spread between 37%-49% for a fixed input power level, corresponding to 1-dB compression. Finally, as predicted by the presented theory, after input second harmonic tuning, further improvements are obtained, increasing fundamental output load resistive part, demonstrating an additional drain efficiency enhancement, which reaches a level of 55% at 1-dB compression
Further Developments in the Area of Nonlinear Microwave Network Design – in Mirror of the International Workshop on Integrated Nonlinear Microwave and Millimeter-Wave Circuits (INMMiC)
No full textContinuing the historical view sketched by a companion contribution (cfr. A. Beyer), the major advances in microwave and millimeter-wave circuit design and device characterization will be outlined, as reflected and strengthened by the many valuable papers presented in the international workshop on 'Integrated Nonlinear Microwave and Millimeter-Wave Circuits' (INMMiC). The contributions in the workshops from Rome (2004) to the last edition in Dublin (2012) will be briefly recalled. © 2014 IEEE
High efficiency oscillator design adopting harmonic tuning
No full textA technique to design high-power and high-efficiency oscillators is proposed. The technique is based on the adoption of high-efficiency harmonic tuning strategies. A test vehicle has been designed and realised to operate at about 5 GHz. The resulting measured efficiency is higher than 51% with an output power higher than 27 dBm
LIMITI E SOGLIE A MANTOVA
No full textIl testo affronta un tema analitico di lettura di alcuni elementi specifici di definizione urbana. Precisamente vengono rilevati gli elementi "notevoli" all'interno del tessuto della città di Mantova, che possiamo identificare come "limiti urbani" (mura, ferrovia, laghi, ...) e come "soglie", cioè i "varchi" che ne consentono il superamento (porte, ponti, porti,...). Inoltre, vengono analizzati i caratteri localizzativi, storici e figurativi di tali elementi e il ruolo che essi conservano nell'attuale morfologia urbana
Design techniques for non-linear microwave circuits
No full textThe accurate computer-aided design of non-linear microwave circuits requires advanced algorithms for circuit analysis, and sophisticated modelling procedures of the active device. In this paper the currently available modelling and analysis methods are briefly reviewed, and the available design techniques and procedures are described, stressing the unique features of a new generation of methods specifically addressed to the design of microwave circuits like power amplifiers, active frequency multipliers, and active mixers
Legittimazione e limiti degli ordinamenti giuridici
No full textIl saggio affronta il problema della legittimazione (formale o sostanziale) degli ordinamenti giuridici, al cospetto della loro obbligatorietà ed efficacia vincolante. Al tempo stesso, propone alcune riflessioni di fondo sui limiti strutturali degli ordinamenti giuridici e del diritto in genere
TNM della laringe: limiti e proposte di modifica
No full textTNM della laringe: limiti e proposte di modific
Empirical Nonlinear HFET Gate Charge Model
No full textAn empirical Gate charge model for HFET suitable for implementation in CAD environments is proposed. The model consists of a single Gate charge nonlinear expression as function of two controlling voltages. Such model follows a recently published modeling approach named Current Division. A comparison is carried out between capacitance values extracted from FET measurements and modeled capacitance values derived from the proposed expression. © 2014 IEE
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