5,368 research outputs found

    A low cost adaptive digital predistorter for linearization of power amplifiers in MIMO transmitters

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    An adaptive digital predistortion (PD) technique is proposed for linearization of power amplifiers (PAs) in multiple-input multiple-output (MIMO) transmitters. We consider a PD structure equipped with only one combined feedback path while conventional systems have multiple feedback paths. Hence, the proposed structure is much simpler than that of multiple feedback paths. Based on the structure, a new PD algorithm is derived. The simulation results show that linearization performance of the proposed method is almost the same as the conventional multiple feedback technique while the former is much simpler to implement than the latter

    The trade-off between efficiency and equality : the role of an economic idea in the political strategy of social democratic parties

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    Defence date: 13 June 2005Examining board: Prof. José María Maravall (CEACS, Juan March Institute) ; Prof. Adam Przeworski (NYU)(External Co-Supervisor) ; Prof. Martin Rhodes (EUI)(Supervisor) ; Prof. Peter Wagner (EUI)PDF of thesis uploaded from the Library digitised archive of EUI PhD theses completed between 2013 and 201

    The Author's Care of Himself: On Friedrich Nietzsche, Michel Foucault and Niklas Luhmann

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    Digitised version produced by the EUI Library and made available online in 2020

    Improvement in thermal stability of MOCVD CoSi2CoSi_2 and characterization of low- temperature stress hump of nickel silicide

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    학위논문(박사) - 한국과학기술원 : 신소재공학과, 2005.2, [ iv, 114 p. ]TiN 및 a-Si interlayer에 의한 reactive MOCVD CoSi2CoSi_2 의 열안정성 향상과 Ni/Si 고상반응에서 나타나는 저온 응력증가(low-temperature stress hump) 현상에 대하여 연구하였다. CoSi2CoSi_2 형성을 위하여 MOCVD precursor는 Cyclopentadienyl dicarbonyl cobalt, Co(η5C5H5)(CO)2Co(η^5-C_5H_5)(CO)_2 를 사용하였으며, 기판은 gate용 poly-Si blanket wafer를 이용하였다. Sputtered TiN 박막을 poly-Si과 MOCVD CoSi2CoSi_2 의 중간층으로 이용할 경우 열안정성을 1000℃ 까지 향상시킬 수 있었다. Interlayer가 없는 경우 900℃에서부터 grain boundry grooving에 의한 agglomeration이 발생되어 면저항이 증가하는 것에 비하여 크게 개선되는데, 이는 TiN 박막이 N2 stuffing에 상관없이 Co와 Si의 상호확산을 고온까지 효과적으로 방지하기 때문이다. TiN interlayer를 사용한 MOCVD CoSi2CoSi_2 의 열화과정을 1000℃ 60분간의 가혹한 열처리후 분석한 결과 columnar 구조를 가지는 TiN 박막의 diffusion pipe와 같은 빈 공간을 통하여 Co와 Si이 확산되어 TiN 박막 밑에서도 CoSi2CoSi_2 가 생성되고 TiN 박막 내부에도 일부 CoSi2CoSi_2 가 형성되며, 원래의 CoSi2CoSi_2 층도 grooving이 상당히 진행된 형태로 나타났다. 그러나 여전히 연속적인 막을 형성하고 있었고 interlayer가 없는 시편 대비 월등히 낮은 면저항을 유지하였다. A-Si을 interlayer로 이용할 경우 TiN interlayer 보다는 효과가 떨어지나 CoSi2CoSi_2 의 열안정성이 역시 크게 개선되었다. 이는 poly-Si과 a-Si간 계면에 존재하는 불연속 자연산화막이 TiN과 같은 확산방지막 역할을 했기 때문으로 밝혀졌다. Ni/Si의 in-situ stress-temperature 측정 시 100℃ ~ 140℃의 온도구간에서 나타나는 니켈 실리사이드 특유의 저온 인장응력 증가(stress hump) 현상 규명을 위한 실험결과, 이는 실리사이드 반응과는 무관하며 as-dep 상태부터 Ni과 Si의 계면에 존재하는 비정질 Ni-Si 층을 통한 Ni 원자의 Si 기판으로의 확산에 의한 것임을 밝혔으며, 이를 모델로서 제시하였다. Ni 박막과 Si 기판의 고상반응에 의한 Ni silicidation 시 나타나는 상 생성 순서는 온도에 따라 140℃ 부근에서 Ni2SiNi_2Si 가 첫 번째 상으로 생성되며, 이후 약 210℃에서 Ni2SiNi_2Si 로부터 NiSi 로의 상전이가 일어나기 시작하여 240℃에서 완료된다. 여러 연구자들에 의해 보고된 바와 같은 피라미드 형태의 epitaxial Ni2SiNi_2Si 는 500℃까지의 온도구간에서는 발견되지 않았으며, 이는 본 실험에서 사용한 undoped (001)Si 기판과 더불어 계면에 어떠한 산화막과 같은 확산방지막이 없었기 때문으로 판단된다. Ni/Si 고상반응에 의한 Ni silicide 형성 시 안정하고 균일한 NiSi 막을 얻기 위해서 RTP 온도는 400℃ 이상이어야 하며 500℃, 30초 조건에서 capping layer에 상관없는 가장 안정한 NiSi를 얻을 수 있었다. TiN capping을 한 경우 열안정성이 가장 우수하였으며, 600℃ ~800℃까지 면저항이 증가하지 않는 특성을 확보할 수 있었다.한국과학기술원 : 신소재공학과

    A 915 MHz, 499 μW, –99 dBm, and 100 kbps BFSK Direct Conversion Receiver

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    This paper presents an ultra-low power (ULP) high sensitivity binary frequency-shift keying (BFSK) direct conversion receiver (RX) for the internet of things (IoT). By employing a combination of a 2-stage ring voltage-controlled oscillator (VCO) and a 50 %-to-25 % duty conversion passive mixer, the power consumption is dramatically reduced. The prototype of the proposed RX which is implemented in a 55 nm CMOS technology shows −99 dBm sensitivity for 915 MHz 100 kbps BFSK signal while dissipating 499 µW from 0.9 V supply

    Pacific Rim Magazine 2011

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    The 2011 issue of Pacific Rim Magazine includes the cover stories "Dayton Boots' Canadian Sale," "Angus An Gets Grilled," "Mars to Venus: Thailand's Third Gender," and "David Y. H. Lui.
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