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Zhong fu tang xu xuan lin zheng zhi nan
No full textV.1-8. 臨證指南醫案 : 十卷 -- v.9-10. 種福堂續選臨證指南 : 種福堂公選溫熱論醫案 : 卷一 -- 種福堂公選良方 : 卷二至四.V.1-8. Lin zheng zhi nan yi an : shi juan -- v.9-10. Zhong fu tang xu xuan lin zheng zhi nan : Zhong fu tang gong xuan wen re lun yi an : juan yi -- Zhong fu tang gong xuan liang fang : juan er zhi si.葉桂著 ; 李大瞻, 華南田, 邵銘同較. 種福堂續選臨證指南 : 四卷 / [葉桂論] ; 苕溪漫士重較刊.綫裝.框12.9x10.1公分, 分上下欄. 上欄註解小字每行2字, 下欄正文10行22字, 無界行. 白口, 左右雙邊, 單黑魚尾. 版心上鐫題名,中鐫卷次及小題, 下鐫葉次. 眉端刻評.《種福堂續選臨證指南》題名據總目.刻書年據序.書名頁刻"臨證指南醫案評本, 聚益堂藏板" ; 卷端題下署"丁丑正月苕溪漫士臨本"《中國中醫古籍總目》11332著錄清乾隆刻本聚益堂藏板.鈐"莊兆祥印"朱, 白文各一方.Xian zhuang.Kuang 12.9 x 10.1 gong fen, fen shang xia lan. Shang lan zhu jie xiao zi mei hang 2 zi, xia lan zheng wen 10 hang 22 zi, wu jie hang. Bai kou, zuo you shuang bian, dan hei yu wei. Ban xin shang juan ti ming, zhong juan juan ci ji xiao ti, xia juan ye ci. Mei duan ke ping."Zhong fu tang xu xuan lin zheng zhi nan" ti ming ju zong mu.Ke shu nian ju xu.Detailed notes in vernacular field only.Detailed notes in vernacular field only.Ye Gui zhu ; Li Dazhan, Hua Nantian, Shao Ming tong jiao. Zhong fu tang xu xuan lin zheng zhi nan : si juan / [Ye Gui lun] ; Tiaoxi Man shi chong jiao kan.Qian "Zhuang Zhaoxiang yin" zhu, bai wen ge yi fang
BaNd2Ti5O14 thick films for microelectronics fabricated by electrophoretic deposition
No full textDoutoramento em Ciência e Engenharia de MateriaisNos dias que correm os engenheiros de circuítos na área da microelectrónica são confrontados com a necessidade de desenhar circuítos que permitam um maior transporte de informação numa menor largura de banda, que consumam menos energia e ao mesmo tempo com a necessidade de criar produtos de dimensões menores e mais flexíveis, com maiores níveis de integração, operação a frequências mais elevadas e a custos mais reduzidos. Neste contexto, a substituição de componentes dieléctricos cerâmicos na forma de monolitos, que são parte integrante de determinados dispositivos microelectrónicos que operam a frequências elevadas (filtros e antennas, por exemplo), por dieléctricos processados na forma de filmes espessos está sob consideração. Com esta aproximação espera-se, por um lado conseguir uma redução do tamanho do dispositivo e dos custos associados à sua produção e por outro lado, e de particular relevância, explorar as oportunidades criadas pela possibilidade de processar filmes conformes com substratos de diferentes formas e de natureza metálica. Novas estruturas e concepções para dispositivos que operam a frequências elevadas deverão ser criadas. Ao mesmo tempo, crê-se contribuir para o desenvolvimento de processos de fabrico de produção em massa de filmes de materiais dieléctricos com desempenho reproductível e a baixos custos. As técnicas de preparação de filmes finos incluem a fabricação por cinta (“tape casting”), por impressão em tela (“screen printing”), por jacto de tinta (“jet printing”) e por deposição electroforética (“electrophoretic deposition”, EPD). A importância da deposição electroforética advém das suas características únicas, que incluem a simplicidade e flexibilidade na aplicação a vários tipos de materiais e combinações de materiais numa gama alargada de formas e dimensões de estruturas, na relação fabricação – custos e na capacidade de dimensionar o processo à escala industrial para fabricação de volumes elevados de produtos e de grandes dimensões. Concomitantemente, quando comparado com os outros processos de fabricação de filmes espessos, a deposição electroforética permite a produção de camadas de uniformidade excepcional com um fácil controlo da sua espessura. Desta forma a fabricação de filmes espessos por deposição electroforética vai de encontro às actuais necessidades da indústria da microelectrónica no que respeita à substituição dos componentes dieléctricos monolitos em uso hoje em dia. Em relação aos materiais, os dieléctricos que podem ser utilizados como componentes de dispositivos de operação às frequências das microondas, deverão possuir perdas dieléctricas baixas, factor de qualidade (definido como o inverso das perdas dieléctricas) elevado, permitividade dieléctrica elevada e coeficiente de temperatura da permitividade baixo. De entre os dieléctricos com baixas perdas, o sistema BaO-Nd2O3-TiO2 representa uma importante família comercial de materiais para utilização às frequências das microondas, em particular a composição 1:1:5, que, porque reúne as características acima mencionadas, é um material de referência para estas aplicações. Embora cerâmicos de BaO-Nd2O3-TiO2 estejam actualmente em produção e comercialmente disponíveis em resonadores, filtros e substratos, entre outras aplicações, o uso de filmes espessos de BNT não foi até à realização deste estudo, referido. Neste trabalho, é explorada a fabricação por deposição electroforética de filmes espessos de BaNd2Ti5O14 (BNT). Para tal é conduzido um estudo sistemático do processo de deposição, desde a prova de conceito de aplicação do processo de deposição electroforética até à definição de condições reprodutíveis e optimizadas de deposição. São utilizados pós comerciais e pós fabricados em laboratório que foram depositados sobre folhas metálicas flexíveis de platina e substratos de alumina. Inicia-se o trabalho pela prova do conceito de aplicação da deposição electroforética ao fabrico de filmes de BNT. Filmes de BNT com 12 a 52 μm de espessura são fabricados a partir de pós de BNT comerciais sobre substratos de platina. Para melhorar a densidade em verde e a microestutura dos filmes obtidos recorre-se a uma etapa intermédia de prensagem isostática dos filmes em verde. O efeito da espessura dos filmes nas propriedades dieléctricas a baixas frequências é analisado. À medida que a espessura do filme aumenta, as propriedades dieléctricas dos filmes de BNT aproximam-se das propriedades dos cerâmicos de BNT em termos de permitividade e perdas dieléctricas. Filmes de BNT com 52 μm de espessura e sinterizados a 1300 °C durante 1 h exibem uma constante dieléctrica e uma perda dieléctrica de 107 e 0.0006 ou um factor de perda Q de 1600 a 1 MHz, respectivamente. A variação de permitividade dieléctrica é inferior a 0.02 % a um campo eléctrico de ±8 kV/cm e na gama de temperatura entre 30-120 °C é abaixo de +58.5 ppm/°C. O estudo revela ainda que não há degradação das propriedades dos filmes de BNT até 1.4 GHz, relativamente às propriedades medidas à frequência de 1 MHz. Após a prova de conceito, são conduzidos estudos de optimização do processo de deposição. Para tal foram especificamente sintetizados por processo convencional de reacções no estado sólido pós de BNT. O sucesso no processo de fabricação por EPD está intimamente relacionado com a escolha do meio de suspensão e aditivos, que devem originar uma suspensão estável com um grau de dispersão das partículas elevado. Neste trabalho são estudados quatro meios suspensores diferentes, que incluem, água, acetona, etanol e ácido acético. As propriedades físico – químicas das diferentes suspensões foram analisadas pelo determinação do potencial zeta, da distribuição do tamanho de partícula e transmitância de luz. Os resultados experimentais revelam que o potencial zeta é uma medida directa da estabilidade das suspensões, visto que o máximo do potencial zeta corresponde ao máximo de dispersão da suspensão que se reflecte também na distribuição do tamanho de partícula e no comportamento em termos de transmissão de luz através da suspensão. O máximo de potencial zeta (61 mV) é obtido para o meio suspensor de acetona com adições de I2, a que corresponde uma transmitância de 10%. O efeito dos diferentes meios suspensores é estudado na deposição, microestrutura e propriedades dieléctricas dos filmes de BNT. De entre os vários meios suspensores, apenas o ácido acético e a acetona com I2 apresentam a capacidade para formação de depósitos e as limitações do ácido acético são analisadas em termos da reproductibilidade do processo. Camadas depositadas de homogeneidade e taxa de deposição elevadas e com superfícies macias foram obtidas com o meio suspensor à base de acetona. Para este caso, o efeito de vários parâmetros de processamento, que incluem o campo eléctrico aplicado, o tempo de deposição e a composição da suspensão e a espessura e morfologia dos filmes é investigada e a discutida. Conjuntamente, e sob as condições optimizadas de deposição é estudado o efeito da temperatura de sinterização na estrutura, microestrutura e propriedades dieléctricas dos filmes espessos de BNT. Para tal filmes de BNT com 10 a 80 μm de espessura foram fabricados por EPD sobre folhas de Pt em diferentes condições. O impacto dos parâmetros de processamento: campo eléctrico, substrato e temperatura de sinterização são analisados e discutidos. Observa-se que um aumento da temperatura de sinterização aumenta acentuadamente a razão de aspecto dos grãos, decresce a permitividade dieléctrica relativa e o coeficiente de temperatura da permitividade TCεr varia de -114 para +12 ppm/°C. É então proposto que a anisotropia do grão observada é facilidade pelas condições de sinterização restrictas (“constrained sintering”). Através do controlo da temperatura de sinterização filmes espessos de TCεr quase nulo, Q elevado com 451300 °C. The diff usion of Al ions into the films resulted in the formation of neodymium aluminates second phases. However 100 μm thick BNT films sintered at 1250 ºC/1h show relative permittivity and Q values of 146 and 1161 at about 10 GHz, respectively. It is believed that this approach of using sacrificial graphite layers for EPD on non-conducting substrates is extremely valuable since it can be extended for both thin and thick film deposition on a large variety of other non-conducting substrates. Another challenge for the microelectronics agile / tunable industries is the fabrication of low loss tunable microwave dielectrics because lower loss tangents provide lower insertion loss in the device. In the work an approach to overcome this limitation is proposed. The preparation and characterization of BaNd2Ti5O14 (BNT) - Ba0.5Sr0.5TiO3 (BST) composite thick films on flexible platinum foil substrate, via an EPD process combined with a sol gel one was reported. Homogeneous, dense, and uniform 9μm-thick BNT-BST composite thick films on flexible Pt foils exhibit dielectric constants and loss tangent of 287 and 0.0013 at 1MHz, and dielectric tunability of 12% at 33kV/cm, and tempera-ture coefficient of relative permittivity of 0.26% between 28ºC to 120ºC, respectively. Above all these films exhibit one of the highest quality factor (K = 70) reported for dielectric films. As such the actual limitation of low loss high tunable dielectrics is somehow surmount and these results are expected to have broad implications in the community of microwave agile devices
Zeng ding fu ying zhi bao
No full text卷一至四. 達生編 / 亟齋居士原編 ; 徐尚慧原刊 ; 三農老人附註 ; 拜松居士增訂 -- 卷五. 種痘法 / 毓蘭居士原輯 ; 拜松居士增訂 -- 卷六. 福幼編 / 莊一夔著 ; 拜松居士增訂 -- 卷七. 遂生編 / 莊一夔著 -- 卷八. 推拿摘要辨症指南 / 王兆鼇重校 -- 附 : 幼科錢鏡各圖推法.Juan yi zhi si. Da sheng bian / Jizhaijushi yuan bian ; Xu Shanghui yuan kan ; Sannonglaoren fu zhu ; Baisongjushi zeng ding -- Juan wu. Zhong dou fa / Yulanjushi yuan ji ; Baisongjushi zeng ding -- Juan liu. Fu you bian / Zhuang Yikui zhu ; Baisongjushi zeng ding -- Juan qi. Sui sheng bian / Zhuang Yikui zhu -- Juan ba. Tui na zhai yao bian zheng zhi nan / Wang Zhao'ao chong jiao -- Fu : You ke qian jing ge tu tui fa.[徐尚慧原刊].綫裝.框16.5x11.5公分, 9行21字, 無界行. 白口, 左右雙邊, 單黑魚尾. 版心上鐫書名, 中鐫卷次, 下鐫葉次.書名頁刻"婦嬰至寶, 光緖戊子年[1888]季夏重鐫, 板存崑山城内周文墨齋刻字店, 每部定價重毛太紙印訂工錢八十四文"書末有識語言刻書事.《中國中醫古籍總目》(05711)著錄.鈐"莊兆祥印", "莊兆祥".Xian zhuang.Kuang 16.5 x 11.5 gong fen, 9 hang 21 zi, wu jie hang. Bai kou, zuo you shuang bian, dan hei yu wei. Ban xin shang juan shu ming, zhong juan juan ci, xia juan ye ci.Detailed notes in vernacular field only.Shu mo you shi yu yan ke shu shi.Detailed notes in vernacular field only.[Xu Shanghui yuan kan].Qian "Zhuang Zhaoxiang yin", "Zhuang Zhaoxiang"
Yin zhi wen ling yan ji
No full text[潘成雲原序].綫裝, 1函.框19.7x13.2公分, 9行25字, 小字雙行同. 白口, 左右雙邊, 單黑魚尾. 版心上鐫題名, 中鐫小題, 下鐫葉次. 行間有圈點.題名據版心.內封背頁鐫"光緖己亥仲春開雕", 並印有"千歲坊文光齋印板存甯城報德觀"前附《文昌帝君陰騭文》(周振翰錄), 《陰騭文原始》, 《陰騭文靈驗記》 ; 卷末附捐刊姓氏芳名.Xian zhuang, 1 han.Kuang 19.7 x 13.2 gong fen, 9 hang 25 zi, xiao zi shuang hang tong. Bai kou, zuo you shuang bian, dan hei yu wei. Ban xin shang juan ti ming, zhong juan xiao ti, xia juan ye ci. Hang jian you quan dian.Ti ming ju ban xin.Nei feng bei ye juan "Guangxu ji hai zhong chun kai diao", bing yin you "Qian sui fang Wen guang zhai yin ban cun Ning Cheng Bao de guan"Qian fu "Wenchang di jun yin zhi wen" (Zhou Zhenhan lu), "Yin zhi wen yuan shi", "Yin zhi wen ling yan ji" ; juan mo fu juan kan xing shi fang ming.[Pan Chengyun yuan xu]
Fu zi tong zhi.
No full text獨幕劇集.本電子書乃根據《香港版權條例(第528章)》而複製, 並只可在大學圖書館系統內的獨立電子書系統上使用.Ben dian zi shu nai gen ju "Xianggang ban quan tiao li (Di 528 zhang)" er fu zhi, bing zhi ke zai da xue tu shu guan xi tong nei de du li dian zi shu xi tong shang shi yong.Du mu ju ji
Zhi ye fu nü.
No full text石華父.四幕劇本電子書乃根據《香港版權條例(第528章)》而複製, 並只可在大學圖書館系統內的獨立電子書系統上使用.Ben dian zi shu nai gen ju "Xianggang ban quan tiao li (Di 528 zhang)" er fu zhi, bing zhi ke zai da xue tu shu guan xi tong nei de du li dian zi shu xi tong shang shi yong.Detailed notes in vernacular field only
Hualun fu ren zhi zhi ye.
No full text蕭伯納著.原書名: Mrs. Warren's profession.四幕劇.本電子書乃根據《香港版權條例(第528章)》而複製, 並只可在大學圖書館系統內的獨立電子書系統上使用.Xiao Bona zhu.Ben dian zi shu nai gen ju "Xianggang ban quan tiao li (Di 528 zhang)" er fu zhi, bing zhi ke zai da xue tu shu guan xi tong nei de du li dian zi shu xi tong shang shi yong.Yuan shu ming: Mrs. Warren's profession.Si mu ju
Menggu zhi: Fu tu yi han.
No full text[編輯者姚明煇].[bian ji zhe Yao Minghui]."ben dian zi shu nai gen ju "Xianggang ban quan tiao li (di 528 zhang)" er fu zhi, bing zhi ke zai da xue tu shu guan xi tong nei de du li dian zi shu xi tong shang shi yong.
Zhi zhu guo wang.
No full text布魯斯坦, 阿比茨高斯著 ; 蔣宛譯.三幕劇.本電子書乃根據《香港版權條例(第528章)》而複製, 並只可在大學圖書館系統內的獨立電子書系統上使用.Bulusitan, Abicigaosi zhu ; Jiang Wan yi.Ben dian zi shu nai gen ju "Xianggang ban quan tiao li (Di 528 zhang)" er fu zhi, bing zhi ke zai da xue tu shu guan xi tong nei de du li dian zi shu xi tong shang shi yong.San mu ju
Fu huo.
No full text托爾斯泰 ; 田漢譯.译自(音译): Voskresenie.六幕劇.本電子書乃根據《香港版權條例(第528章)》而複製, 並只可在大學圖書館系統內的獨立電子書系統上使用.Tuo'ersitai ; Tian Han yi.Ben dian zi shu nai gen ju "Xianggang ban quan tiao li (Di 528 zhang)" er fu zhi, bing zhi ke zai da xue tu shu guan xi tong nei de du li dian zi shu xi tong shang shi yong.Yi zi (yin yi): Voskresenie.Detailed notes in vernacular field only
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