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Il Piemonte Orientale alla prova della storia
No full textL’attuale configurazione territoriale delle regioni italiane è frutto di processi storici di lunga durata, e dietro l’apparente compattezza continuano a sussistere le tracce di precedenti (e in molti casi tuttora evidenti) legami di ordine economico e culturale con altre aree geografiche e amministrative. Viene qui ripercorsa la vicenda del Piemonte, esempio molto calzante di regione composita, in relazione alla denominazione di “Piemonte orientale”, chiamata a definire lo spazio di riferimento di un’università di recente istituzione senza che fra le sue componenti territoriali si sia mai manifestata un’identità comune. Il Piemonte odierno è stato costruito fra il medioevo e l’Ottocento dall’espansione della dinastia sabauda, diversamente da altre regioni che si sono formate attorno a città dominanti la cui sfera d’influenza si è estesa fino ad arrivare ai confini attuali. A un Piemonte originario, corrispondente grosso modo alla metà occidentale della regione, si sono aggiunte a partire dal Settecento le province oltre la Sesia e il Tanaro, che non hanno mai perso l’originaria impronta lombarda o ligure. Sulla base di fonti storiografiche e letterarie si documenta la persistenza di questa conformazione a mosaico, invitando a riflettere sulle radici storiche degli assetti amministrativi e sull’opportunità di prenderle in considerazione quando si tratta di intervenire con decisioni politiche su comunità e territori complessi
Le ICT nella costruzione della Società dell'Informazione in Piemonte. Rapporto 2011
No full text- Indice #5- Executive Summary #10- Un quadro di insieme delle dinamiche ICT nel 2010 e le sfide per un'agenda digitale del Piemotne #22- Le reti di banda larga: gli interventi regionali, l'accesso e la qualità della copertura #36- La diffusione dell'ICT nelle famiglie piemontesi #54- La diffusione di ICT nelle imprese piemontesi: storia di un cambiamento incompiuto #70- La presenza di ICT nella PA e le opportunità esistenti #88- Scuola e ICT in Piemonte #100- I costi delle ICT negli Enti locali e le aspettative in relazione ai servizi #10
Piemonte Torino Design
No full textCura scientifica della mostra (con Claudio Germak), progetto allestimenti (con Studio De Ferrari Architetti), cura catalogo edizione 2008. La ricerca MURST Sistema Design Italia ha costituito occasione per la costituzione di un Osservatorio Permanente sul sistema design territoriale (regione Piemonte). Le azioni dell'Osservatorio possono essere così sintetizzate: - aggiornamento fisico della mostra PIEMONTE TORINO DESIGN attraverso la raccolta di nuovi prodotti progettati e/o prodotti nell'ambito del territorio regionale. I prodotti, oltre a costituire il materiale documentario dell'esposizione itinerante, sono archiviati come COLLEZIONE PIEMONTE TORINO DESIGN per la quale è prevista una sede fisica permanente nel futuro Design Center nelle aree di FIAT Mirafiori; - aggiornamento virtuale della COLLEZIONE PIEMONTE TORINO DESIGN attraverso la cura del sito www.piemontetorinodesign.it, creato a documentazione delle attività dell'Osservatorio; - programmazione e attuazione dei contatti internazionali, attraverso una rete di relazioni di cui sono attori principali Camera di commercio di Torino, Regione Piemonte (Settore Cultura e gli Istituti Italiani di cultura all'estero; Settore Internazionalizzazione e le relative Antenne all'estero, l'ICE e il sistema istituzionale italiano di rappresentanza all'estero: Ambasciate, Consolati, Istituti Italiani di Cultura) e le Università di Design presenti all'estero con le quali vengono programmati Conferenze, Convegni, Seminari. Esempio di tali attività sono le edizioni della mostra Piemonte Torino Design nelle seguenti occasioni: Torino, Olimpiadi della Cultura (gennaio/marzo 2006) Canton, Cina (settembre 2006) Seminario "Riconoscere il design territoriale", Polo Inter-Universitario di Canton, Guangzhou Academy of Fine Arts Seul, Korea (ottobre 2006) Seminario "Innovazione e Disegno Industriale", Kookmin University Ningbo, Cina (ottobre 2006) Seminario "Il Design in Piemonte", Centro Espositivo Hong Kong (dicembre 2006) Seminario "Innovazione e Design in Piemonte", Innocentre Kyoto, Giappone (marzo 2007) Seminario "Il disegno industriale tra Italia e Giappone: due realtà a confronto", Università di Arte e Design di Kyoto Hanoi, Vietnam (aprile 2007) Seminario "Design per i sistemi produttivi locali", Università del Design Belo Horizonte, Brasile (giugno 2007) Seminario Internazionale "Glocal Design" Santiago del Cile (agosto 2007) "Italia & Chile go on design!" Universidad Mayor Istanbul (gennaio 2008), Seminario Internazionale "Design Italia & Turchia", Università di Minar Sinan Bursa (2008), Cracovia (2008), Guadalajara (2008), Torino (edizione per 2008 Torino World Design Capital), Caracas (2009). Claudia De Giorgi nel 2009 ha curato la donazione della Collezione PIEMONTE TORINO DESIGN al Politecnico di Torino da parte di Regione Piemonte e SIAT-Società degli Ingegneri e degli Architetti in Torin
Process simulations of a fabrication technology for detector compatible front-end circuits on high-resistivity silicon
No full textThis report describes the activity carried out to characterize, by means of a process
simulator, a technology (developed at ITC-irst in 1999) aimed at the production
of particle detectors with integrated front-end electronics. The main part of the
work has been dedicated to the calibration of the parameters involved in the simu-
lation of the implantation and diffusion steps. This has been carried out comparing
the calculated dopant profiles with a set of experimental data (SIMS, Spreading
Resistance, Capacitance-Voltage measurements). It has been evidenced that it is
extremely important to have dierent types of measurement for each layer in order
to obtain an accurate calibration. In general, satisfactory results have been achived,
and the simulated profiles can now be used to perform device simulations of the
transistors implemented in the layout. Furthermore, a calibrated process simulator
allows the definition of a new process flow with improved characteristic
Device Simulations of Isolation Techniques for Silicon Microstrip Detectors Made on p-Type Substrates
No full textRecent studies have shown that silicon particle detectors made on p-type substrates feature an improved radiation hardness compared to more conventional single-side n-type devices. In particular, they show an increased charge collection efficiency at very high irradiation levels. At present few devices have been fabricated on these substrates and there are still many doubts regarding the best type of isolation structure to be employed for the interruption of the inversion electron layer present between the n+ electrodes. In this paper, a description of the behavior of microstrip detectors featuring three isolation solution (p-spray, p-stop and a combination between the previous two) is presented. The analysis is based on device simulations and covers the breakdown and interstrip capacitance issues
A new Silicon Photomultiplier structure for blue light detection
No full textSilicon Photomultipliers are extremely promising devices for those applications requiring the detection of very low-intensity light (down to single photon detection). The major drawback of the existing prototypes is the poor detection efficiency, especially at short wavelengths (below 10% in the blue region). In this paper, a new structure aimed at improving this parameter at wavelengths ranging from 400–450nm is presented. With respect to a conventional structure it allows a maximization of the breakdown initiation probability for a given bias voltage and a reduction of the dead area. The analysis is supported by TCAD simulations
Improvements achieved in the fabrication of JFET transistors on high-resistivity silicon by means of TCAD simulations
No full textThe TCAD simulator is an indispensable tool both for the design of new devices based on semiconductor technology as well as for a thorough understanding of the device functioning. This paper reports the improvements achieved in the characteristics of JFET transistors built on high-resistivity silicon by exploiting the information extracted from process and device simulations to tune the fabrication technology. The first part of the report gives some examples of simulation outcomes already implemented in the fabrication process and the relative impact on the device performance, whereas the second presents possible improvements to be applied in the following productions to render the device more robus
Metodo di fabbricazione di un sensore a semiconduttore e sensore ottenuto Method of manufacturing a semiconductor sensor and sensor obtained
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