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Struttura multistrato di un transistore OLET
No full textLa presente invenzione fa riferimento ad una struttura multistrato di un transistore OLET. Più specificatamente l'invenzione si riferisce ad una struttura multistrato di un transistore OLET realizzata su almeno un substrato, comprendente almeno uno strato organico emissivo e dotata di un primo e di un secondo elettrodo di iniezione e di un elettrodo di controllo. L'invenzione fa altresì riferimento ad una unità emissiva elementare o sub-pixel comprendente come elemento emissivo un transistore OLET e ad un display comprendente una configurazione a matrice di unità emissive elementari siffatte. L'invenzione riguarda in particolare, ma non esclusivamente, una struttura multistrato di un transistore OLET adatta a realizzare uno schermo di visualizzazione o display in tecnologia organica e la descrizione che segue è fatta con riferimento a questo campo di applicazione con il solo scopo di semplificarne l'esposizione
Architettura di cella fotovoltaica basata su materiale organico
No full textLa presente invenzione fa riferimento ad una architettura di cella fotovoltaica. Più specificatamente l'invenzione si riferisce ad una architettura di cella fotovoltaica a struttura planare comprendente una regione attiva realizzata su un substrato mediante una sovrapposizione di almeno un primo ed un secondo strato organico sovrapposti ed in contatto in corrispondenza di almeno una regione di interfaccia ed avente almeno un primo ed un secondo elettrodo di raccolta di buche ed elettroni, rispettivamente. L'invenzione fa altresì riferimento ad un pannello fotovoltaico piano
Struttura integrata di un dispositivo fotosensore basato su materiale organico e relativa architettura circuitale di pixel
No full textLa presente invenzione fa riferimento ad una struttura integrata di un dispositivo fotosensore basato su materiale organico.
Più specificatamente l'invenzione si riferisce ad una struttura integrata di un dispositivo fotosensore comprendente un core attivo multistrato nella forma di un’eterogiunzione organica comprendente la sovrapposizione di almeno un primo ed un secondo strato organico attivo ed almeno un primo ed un secondo elettrodo di controllo denominati di source e drain, rispettivamente, in contatto con almeno uno di detti primo e secondo strato organico attivo.
L'invenzione fa altresì riferimento ad una architettura circuitale di pixel comprendente almeno un dispositivo fotosensore realizzato mediante una tale struttura integrata.
L'invenzione riguarda in particolare, ma non esclusivamente, un dispositivo fotosensore adatto a realizzare matrici di pixel per dispositivi di acquisizione di immagini e la descrizione che segue è fatta con riferimento a questo campo di applicazione con il solo scopo di semplificarne l'esposizione
Multilayer structure of an OLET transistor
No full textThe present invention refers to a multilayer structure of an OLET transistor.
More specifically the invention relates to a multilayer structure of an OLET transistor realized on at least one substrate, comprising at least one emissive organic layer and provided with a first and a second injection electrode and a control electrode.
The invention also refers to an elementary emissive unit or sub-pixel comprising, as emissive element, an OLET transistor and to a display comprising a matrix configuration of such elementary emissive units.
The invention relates, in particular but not exclusively, to a multilayer structure of an OLET transistor designed to form a viewing screen or display realized using organic technology, and the description below is provided with reference to this application sector with the sole aim of simplifying illustration thereof
ELECTROLUMINESCENT ORGANIC DOUBLE GATE TRANSISTOR
No full textAn organic electroluminescent transistor is described. The organic electroluminescent transistor has a first and a second dielectric layer, a first and a second control electrode and an assembly having a source electrode, a drain electrode and an ambipolar channel. The ambipolar channel has a first layer of semiconductor material, a second layer of semiconductor material and a layer of emissive material arranged between the first layer of semiconductor material and the second layer of semiconductor material. The source electrode and the drain electrode are both in contact with only one of the two layers of semiconductor material
Electroluminescent Organic Transistor
No full textElectroluminescent organic transistor (1) in which there is a semiconductor heterostructure (12) constituted by a plurality of layers of semiconductor materials of p-type and n-type (15, 15', 15", 15"'), which act, respectively, for the conduction of holes and electrons within said heterostructure (12), and at least two layers of emitting materials (16, 16', 16") each of which is interposed between, and in direct contact with, one of said layers of p-type semiconductor material and one of said layers of n-type semiconductor material (15, 15', 15", 15"')
Profilo delle letterature romanze medievali
No full textManuale di storia delle letterature romanze medieval
A model for the interpretation of holographic and Lorentz images of tilted reverse-biased p-n junctions in a finite specimen
No full textAn analytical model for the electric field associated with a periodic array of alternating p- and n-doped stripes lying in a half-plane, tilted with respect to the specimen edges and thus better representing the actual experimental set-up is presented. With respect to a previous treatment, relative to the case of stripes perpendicular to the edge, a more physical derivation is outlined, and the calculated phase shift is used to interpret the main features of holography and Lorentz microscopy images, allowing a quantitative assessment of the influence of the specimen edge on them
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