13 research outputs found
PREPARASI MULTILAYER P-N-JUNCTION DIATAS SUBSTRAT Si(111) UNTUK APLIKASI DETEKTOR SURFACE BARRIE
No full textPREPARASI MULTILAYER P-N-JUNCTION DIATAS SUBSTRAT Si(111) UNTUK APLIKASI DETEKTOR SURFACE BARRIER. Telah dilakukan preparasi multilayer Au/SiP/SiB/Si(111)/Au, diikuti dengan pengamatan sifat statis dan sifat dinamis. Deposisi dikerjakan dengan menggunakan teknik RF Sputtering dan DC Magnetron Sputtering. Sifat statis yang diamati meliputi parameter penting pada aplikasi multilayer sebagai detektor partikel alfa, yaitu tahanan maju dan mundur, pengamatan kapasitansi sebagai fungsi dari tegangan terpasang (reverse bias), serta perhitungan lebar depletion layer. Pengamatan sifat dinamis dilakukan dengan menggunakan rangkaian spektroskopi, yaitu untuk mendeteksi pulsa keluaran yang merupakan karakter spesifik dari detektor surface barrier. Telah dipilih multilayer yang terbaik Au/SiP/SiB/Si(111)/Au, yang menunjukkan sifat proporsional dengan detektor komersial ORTEC. Parameter sputtering yang optimal adalah tegangan 4kV/0.6 A(DC) dan 200W-RF serta tekanan gas argon yang sama, dalam orde 7x10-2 mbar, dengan waktu deposisi 30menit pada proses RF-sputtering untuk multilayer SiP/SiB sertamasing-masing 2 menit dan 5 menit DC-sputtering untuk lapisan emas yang berfungsi sebagai jendela terobosan partikel alfa, dan sebagai elektroda. Nilai tahanan maju dan tahanan mundur terukur sebesar masing-masing 1,1 MΩ dan 4,1 MΩ. Diperoleh lebar depletion layer sekitar 410 mm pada tegangan reverse bias 22 V. Hasil pembuatan prototip detektor surface barrier menggunakan multilayer Au/SiP/SiB/Si/(111)/Au tersebut dapat merespon partikel alfa, memberikan FullWidth Half Maximum (FWHM) sekitar 42 keV, sehingga mampu membedakan 2 puncak energi pada umumnya dari suatu sumber radioaktif pemancar alfa
Efek Giant Magnetoresistance (GMR) pada multilayer spein-valves NiFe/Cu/Co/NiO dan Co/Cu/Co/NiO
No full textEFEK GMR (GIANT MAGNETORESISTANCE) PADA LAPISAN TIPIS MAGNETIK FeSiAl YANG DIHASILKAN DENGAN TEKNIK SPUTTERING
No full textEFEK GMR (GIANT MAGNETORESISTANCE) PADA LAPISAN TIPIS MAGNETIK FeSiAl YANG DIHASILKAN DENGAN TEKNIK SPUTTERING. Telah dilakukan pembuatan lapisan tipis FeSiAl dengan, metodapin hole menggunakan teknik RF sputtering. Tujuan penelitian ini adalah untuk membuat lapisan tipis magnetik yang terdiri dari bahan magnetik, nonmagnetik dan semikonduktor yang mempunyai sifat GMR. Senyawa FeSiAl diperoleh dengan menggunakan metoda pin hole, dimana metoda ini lebih sederhana dibandingkan dengan metoda multi layer maupun target paduan. Target pin hole Si, Al dan dan target utama Fe, ditembaki dengan ion argon berasal dari gas argon yang telah terionisasi oleh tegangan RF. Penelitian efek GMR dilakukan dengan mengukur tahanan lapisan tipis magnetik dengan ohm meter menggunakan metoda probe empat titik, sebagai fungsi medan magnet luar. Analisis unsur dilakukan dengan menggunakan metoda Analisa Reaksi Inti. Dari hasil pengukuran yang dilakukan didapatkan hasil efek GMR yang paling baik dengan nisbah GMR 34 %. Perubahan tahanan lapisan tipis paling besar dari 7,551 ohm menjadi 2,567 ohm terjadi pada kuat medan magnet 0 gauss sampai dengan 60 gauss Parameter yang menghasilkan efek GMR paling baik timbul pada perbandingan komposisi unsur Fe 83:%, Si 6%, Al 7%, daya RF 185 watt, tekanan 9x10-2/sup torr dan waktu deposisi 3O menit
SIFAT MAGNETISASI DISEKITAR TITIK KOMPENSASI DARI SISTEM LAPISAN TIPIS GdFeCo/GdFe
No full textSIFAT MAGNETISASI DISEKITAR TITIK KOMPENSASI DARI SISTEM LAPISAN TIPIS GdFeCo/GdFe. Telah dilakukan penelitian sifat magnetisasi dari sistem lapisan tipis GdFeCo/GdFe yang merupakan gabungan logam tanah jarang dan logam peralihan. Lapisan tipis magnetik tersebut dihasilkan dengan metode Sputtering pada frekuensi radio 13,56 MHz, sebagai Sputtergas adalah gas mulia Argon. Sifat-sifat magnetik diteliti dengan pengukuran pemutaran bidang polarisasi menggunakan Kerr-Magnetometer, pengukuran magnetisasi dengan Vibrating Sample Magnetometer. Untuk meneliti sifat anisotropi dipergunakan Torque magnetometer. Hasil penelitian menunjukkan terbentuknya dinding yang muncul diantara 2 lapisan tunggalnya. Tenaga yang terkandung di dalam sekat tersebut tergantung dari temperatur serta terkolerasi langsung dengan anisotropi magnetik. Pada temperatur kompensasi, tenaga dinding tidak teramati, diskontinuitas, dan kemudian muncul lagi sebelum dicapai suhu Curie. Switching field HS yang merupakan gaya koersitiv dari lapisan ganda tergeser dari gaya koersitiv Hc sesuai dengan besamya tenaga. Sputtergas berpengaruh langsung terhadap sifat magnetik tersebut, terutama besamya tekanan yang sangat menentukan terjadinya pembalikan arah EA dari lapisan tipis pada suhu tertentu. Bahkan pada tekanan tertentu terjadi perubahan arah easy-axis, dari in—plane ke perpendicular, melalui efek stress/strain. Pemutaran bidang polarisasi menghasilkan efek Kerr yang cukup besar, mencapai 40 menit, yang kemungkinan disebabkan oleh enhance dari lapisan SiNx melalui efek antireflection
PENGARUH TEKANAN DAN WAKTU DEPOSISI PADA TEKNIK SPUTTERING TERHADAP TAHANAN DAN REFLEKSIVITAS LAPISAN TIPIS a-Si DAN Ag
No full textPENGARUH TEKANAN DAN WAKTU DEPOSISI PADA TEKNIK SPUTTERING TERHADAP TAHANAN DAN REFLEKSIVITAS LAPISAN TIPIS a-Si DAN Ag. Telah dilakukan deposisi lopisan tipis a-Si dan Ag pada substrat kaca untuk lapisan reflektor dan lapisan untuk membuat sambungan P-N untuk sel surya. Penelitian ini bertujuan mendapatkan tahanan lapisan tipis a-Si dan refleksivitas lapisan tipis Ag yang optimal, sehingga akan dipereroleh sel surya yang mempunyai efisiensi lebih tinggi. Target Si dan Ag secara terpisah ditumbuki dengan ion Ar dalam tabung sputtering, sehingga atom Si dan Ag akan terdeposisi pada substrat kaca. Untuk mengetahui struktur kristal data lapisan tipis Si diamati dengan XRD, refleksivitas lapisan tipis Ag menggunakan UV-Vis dan tahanan lapisan tipis Si dengan multimeter digital. Dari hasil pengamatan diperoleh hasil bahwa lapisan tipis Si menunjukkan amorf, refleksivitas tertinggi lapisan tipis Ag 78 % dan tahanan terkecil lapisan tipis a-Si: 77 mega Ohm
Design of corossion sensor based on Sms (single mode multi mode-single mode) coated Fe thin film optical fiber
No full textKARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS a-Si:H:B UNTUK BAHAN SEL SURYA
No full textKARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS a-Si:H:B UNTUK BAHAN SEL SURYA. Telah dideposisikanlapisan tipis a-Si:H:B pada substrat kaca dengan menggunakan teknik plasma sputtering DC. Deposisi dilakukanuntuk beberapa parameter proses yang meliputi: waktu deposisi, tekanan gas dan suhu substrat dengan tujuan dapatdiperoleh beberapa lapisan tipis a-Si:H:B yang mempunyai sifat optik yang sesuai untuk bahan sel surya. Variasiwaktu deposisi (0,5 s/d 2 jam), tekanan gas (1,1 s.d 1,4×10-1 torr) dan suhu substrat (150 s.d 300 oC), sedangkanaliran gas reaktif hidrogen ditetapkan sebesar 4 sccm. Target dari bahan silikon yang telah dicampur boron dengankonsentrasi (0,1, 0,3, 0,50, 0,7) % berat. Dari analisa sifat optik menggunakan spektrofotometer UV-Vis diperolehtransmitansi optik maksimum 47 % yang diperoleh pada panjang gelombang 700 nm. Koefisien serapan dan lebarenergi gap untuk lapisan tipis a-Si:H:B masing-masing sebesar 3,49×104 m-1 dan 1,77 eV
DEPOSISI LAPISAN TIPIS ZnO SEBAGAI LAPISAN TIPIS TIPE N DAN JENDELA SEL SURYA CuInSe2
No full textDEPOSISI LAPISAN TIPIS ZnO SEBAGAI LAPISAN TIPIS TIPE N DAN JENDELA SEL SURYA CuInSe2. Telah dilakukan deposisi lapisan tipis ZnO pada substrat kaca sebagai lapisan tipis tipe N dan jendela sel surya CuInSe2 menggunakan teknik RF sputtering. Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh parameter sputtering terhadap resistansi, tipe konduksi, transmitansi dan struktur kristal, sehingga dapat digunakan untuk sel surya CuInSe2 (CIS). Pembuatan lapisan tipis ZnO menggunakan teknik RF sputtering pada frekuensi 13,56 MHz dengan target ZnO. Bahan target ditumbuki dengan ion Ar, sehingga atom ZnO terpecik pada substrat membentuk lapisan tipis ZnO pada substrat kaca. Pengukuran resistansi dan tipe konduksi menggunakan probe empat titik, transmitansi menggunakan UV Vis, struktur kristal menggunakan XRD. Dari hasil pengamatan diperoleh resistansi terendah 19 k dengan tipe konduksi N, transmitansi tertinggi 99,3 %, struktur kristal lapisan tipis adalah kristal ZnO dengan bidang (100), (002), (101). Dari data tersebut dapat disimpulkan bahan lapisan tipis yang dibuat dapat digunakan sebagai jendela sel surya CIS
LAPISAN TIPIS ZnO SUSUNAN LARIK SEBAGAI SENSOR GAS
No full textLAPISAN TIPIS ZnO SUSUNAN LARIK SEBAGAI SENSOR GAS. Telah dibuat sensor gas dari bahan lapisan tipis ZnO dengan sistim larik menggunakan teknik D-C sputtering. Tujuan dari pembuatan sistem larik ini adalah untuk menyederhanakan sistem, memperkecil konsumsi daya dan untuk memperkecil tahanan lapisan tipis yang terbentuk. Untuk maksud tersebut sistem pemanas dibuat dari lapisan tipis emas dengan sistem larik dan ditumbuhkan pada salah satu sisi substrat Alumina (Al2O3), sedangkan sistim elektroda dari lapisan tipis emas juga dalam bentuk sistim larik ditumbuhkan pada sisi yang lainnya. Selanjutnya lapisan tipis ZnO ditumbuhkan diatas elektroda menggunakan teknik sputtering. Dari hasil pengujian sistem pemanas dari tegangan batery 1,5 Volt hingga 9 Volt diperoleh hasil suhu sebesar 295 oC yang merupakan suhu operasi sensor dicapai pada tegangan 4,5 Volt, sedangkan untuk tegangan pemanas 9 Volt, lapisan tipis pemanas mengelupas (rusak). Dari pengujian respon sensor untuk berbagai gas uji juga diperoleh hasil bahwa dengan sistem larik ternyata resistansinya juga semakin kecil, sebagai contoh resistansi untuk sistem satu larik sebesar 150MΩ sedangkan resistansi untuk sistim 3 larik sebesar 39MΩ. Berdasar uji sensitivitas sensor juga diperoleh hasil bahwa dengan jumlah larik yang lebih banyak ternyata sensor lebih sensitif. Dari hasil analisis strukturmikro menggunakan SEM teramati bahwa lapisan tipis ZnO yang terbentuk terdistribuasi secara merata pada permukaan substrat sedang ketebalan lapisan tipis dalam order 1,4 µm. Dari analisis unsur menggunakan EDX teramati bahwa lapisan yang terbentuk betul-betul senyawa ZnO dengan komposisi Zn = 80, 34 % massa dan O = 19,66 % massa. Dari analisa struktur kristal menggunakan XRD teramati bahwa lapisan tipis ZnO yang terbentuk merupakan polikristal dengan bidang-bidang kristal (110), (022), (101), (141), (211), (002) dan (301
