1,721,098 research outputs found
Ferrimagnetism, exchange bias and spin-glass property of disordered La2CrNiO6
No full textA B-site disordered double perovskite La2CrNiO6 is synthesized by citrate-gel combustion method. The material is showing an orthorhombic Pbnm crystal structure which doesn't change upon cooling to 15 K and with an applied field of 50 kOe. Upon cooling from room-temperature to 15 K, a nearly linear dependence in the volume of the crystal structure with temperature is observed until 100 K, which is around the ferrimagnetic transition temperature of the material. The disordered Cr and Mn introduced inhomogeneous magnetic interactions, leading to Griffiths-like phase (GP) and spin glass state in the material. The material shows an exchange bias effect, owing to the GP and spin glass state. Mott's variable range hopping is the conduction mechanism of the insulating disordered double perovskite La2CrNiO6
Design, integration and characterization of CMOS-compatible RF varactors based on ferroelectric HfO2 thin films
No full textThin film varactors are widely used in modern radio frequency integrated circuits (RFICs), in matching networks, phase shifters, voltage-controlled oscillators (VCOs) and tunable filters. Ferroelectric hafnium oxide, discovered just 10 years ago, opened a whole new research direction. Compared to other ferroelectric materials, it has a decisive advantage for use in microelectronic systems and industrial complementary-metal-oxide-semiconductor- (CMOS-) compatible production as it has been used as a gate oxide in field-effect transistors (FETs) for more than a decade. When deposited as a thin film and doped with various materials, particularly zirconium, it can crystallize at temperatures suitable for its integration into industrial Back-End-of-Line (BEoL) processes. As such, it has been extensively studied as a material for ferroelectric random-access memory (FRAM) devices. These properties also make it a perfect candidate for its implementation as a ferroelectric varactor. In this work, a comprehensive study on metal-ferroelectric-metal (MFM) thin film varactors of hafnium oxide is carried out. It can be divided into two distinct paths - an investigation of the material properties of Zr-doped hafnium oxide and an investigation of its applicability as a varactor, where its property of tunable permittivity (or capacitance) was used to simulate, design and characterize passive elements such as phase shifters and demonstrate the advantages of the material over competing technologies. For the initial analysis of its properties, extensive measurements were made at low frequencies, particularly I-V , P-V and C-V characteristics. During this, the main focus was put on the influence of composition (doping), thickness, temperature and electrical treatment upon capacitance tunability. It was found that 3:5 Hf:Zr - doped thin-film varactors of 10 nm thickness have the best performance in terms of both tunability and quality factor at temperatures up to 200°C. Additionally, the broadband characteristics was conducted using a Linear Network Analysis. The influence of doping was also analyzed for RF frequencies up to 500 MHz, where the properties were comparable to low-frequency characterization. Also, the effective permittivity and loss tangent of BEoL-integrated 10 nm hafnium zirconium oxide with 1:1 doping was extracted in the frequency range between 30 MHz and 170 GHz. Finally, passive devices, particularly a phase shifter and a bandpass filter, were designed and integrated into the BEoL of 180 nm CMOS technology. The phase shifter demonstrates a phase shift up to 112° at 60 GHz with 41.3 dB insertion loss and 43.5° at 45 GHz with 14 dB insertion loss. The bandpass filter demonstrates the tuning of the center frequency between 36.6 GHz and 39.1 GHz with 3.87 dB insertion loss
Electric and Magnetic Coupling Phenomena at Oxide Interfaces
Full text linkPerovskit-Oxide weisen eine große Bandbreite an physikalischen Eigenschaften bei gleichzeitig hoher struktureller Qualität in kleinsten Dimensionen auf. Die dramatischen Veränderungen ihrer Eigenschaften bei nur geringer Variation der stöchiometrischen Zusammensetzung sind sowohl für ein tieferes physikalisches Verständnis als auch für mögliche Anwendungsperspektiven interessant.
In der vorliegenden Arbeit wurde der Einfluss von Ladungsübertragung an Grenz-
flächen, Anisotropiemodifikation durch Verspannung und Oberflächeneffekte sowie magnetische und strukturelle Kopplung untersucht. Aufgrund ihrer kontrastierenden Eigenschaften im Hinblick auf Ferromagnetismus und Ladungstransport wurden dotiertes Lanthanmanganat und Strontiumruthenat (SRO) für die Untersuchungen ausgewählt. Durch ihre hervorragenden Wachstumseigenschaften mit fehlerlosen Grenzflächen auf atomarer Ebene erlauben sie als Modellsystem die Untersuchung elektronischer, magnetischer und struktureller Kopplung in Perovskit-Oxiden – mit folgenden Ergebnissen:
Durch Ladungsübertragung an Grenzflächen wird Ferromagnetismus in Schichten
von weniger als vier Einheitszellen in Manganaten stabilisiert.
Die mikroskopische Struktur der Systeme kann aus der Analyse der durch die
Anisotropie bedingten Symmetrie der winkelabhängigen Magnetotransport-
messungen erschlossen werden.
Bei abnehmender Schichtdicke verringert sich die intrinsische orthorhombische Symmetrie in SRO zugunsten einer tetragonalen aufgrund der Symmetriebrechung an der Grenzfläche. Die Untersuchungen des anormalen Hall Effekts unterstreichen seine Tensor-Natur und zeigen eine Abhängigkeit des Vorzeichens sowohl von der magnetischen Anisotropie als auch der mikroskopischen Schichtqualität.
Die Beobachtung einer Anisotropie oberhalb der Übergangstemperatur von SRO in Manganatschichten einer Dicke von zwei bis sechs Einheitszellen weist auf eine strukturelle Kopplung über die Sauerstoffoktaederrotationen hin.
Die komplexe Wechselwirkung zwischen antiferromagnetischer Kopplung und schichtdickenabhängiger Anisotropie und dem magnetischen Moment werden in einem 2-Schichten-Modell beschrieben.
Übergitter mit Einzelschichten von weniger als drei Einheitszellen lassen sich nicht mehr mit individuellen Einzelschichten beschreiben sondern stellen einen künstlichen Ferrimagneten dar.Perovskite oxides show a range of physical properties in combination with high structural quality in small dimensions. The dramatic change of their properties upon small variation in stoichiometry or external influences as pressure/strain are interesting for both a deeper understanding of fundamental condensed matter physics as well as electronic applications.
In the present thesis the influence of charge transfer at interfaces, modification of the magnetic anisotropy by strain and surface effects, as well as magnetic and structural coupling was studied. In virtue of their contrasting ferromagnetic and transport properties, charge doped lanthanum manganite and strontium ruthenate (SRO) were chosen for this study. Their superior growth properties allowing atomically flat defect free interfaces make them a model system to study electronic magnetic and structural coupling phenomena in perovskite oxides − with the following findings:
Charge transfer at interfaces stabilizes ferromagnetism in single layers of manganites down to one unit cell thickness similar to finite size scaling in ordinary transition metal ferromagnets.
The microscopic structure of crystalline layers can be obtained from an analysis of the symmetries present in angle dependent magnetotransport measurements, which are determined by the anisotropy.
Upon thickness reduction, the intrinsic orthorhombic symmetry in SRO is reduced in favour of a tetragonal one owing to the symmetry breaking at the interface.
Studies on the anomalous Hall effect underline its tensorial nature and show a sign dependence on both magnetic anisotropy and microstructural quality.
The observation of an in-plane anisotropy in manganite layers in the thickness range of two to six unit cells indicates a structural coupling via the oxygen octahedra.
The complex interplay of antiferromagnetic coupling and layer thickness dependent anisotropy and magnetic moment are described in a bilayer model.
Superlattices with individual layers of less than three unit cells cannot be described by the individual layer properties but represent an artificial ferrimagnet
Going Beyond Counting First Authors in Author Co-citation Analysis
Full text linkThe present study examines one of the fundamental aspects of author co-citation analysis (ACA) - the way co-citation
counts are defined. Co-citation counting provides the data on which all subsequent statistical analyses and mappings
are based, and we compare ACA results based on two different types of co-citation counting - the traditional type that
only counts the first one among a cited work's authors on the one hand and a non-traditional type that takes into
account the first 5 authors of a cited work on the other hand. Results indicate that the picture produced through this non-traditional author co-citation counting contains more coherent author groups and is therefore considerably clearer. However, this picture represents fewer specialties in the research field being studied than that produced through the traditional first-author co-citation counting when the same number of top-ranked authors is selected and analyzed. Reasons for these effects are discussed
Variations on the Author
Full text link“Variations on the Author” discusses two of Eduardo Coutinho’s recent films (Um Dia na Vida, from 2010, and Últimas Conversas, posthumously released in 2015) and their contribution to the general question of documentary authorship. The director’s filmography is characterized by a consistent yet self-effacing form of authorial self-inscription: Coutinho often features as an interviewer that rather than express opinions propels discourses; an interviewer that is good at listening. This mode of self-inscription characterizes him as an author who is not expressive but who is nonetheless markedly present on the screen. In Um Dia na Vida, however, Coutinho is completely absent form the image, while Últimas Conversas, on the contrary, includes a confessional prologue that moves the director from the margins to the center of his films. This article examines the ways in which these works stand out in the filmography of a director who offers new insights into the notion of cinematic authorship
Herstellung kristalliner ZnO-Dünnschichten mittels PLD auf flexiblen Substratmaterialien
Full text linkDas Ziel der vorliegenden Arbeit war es einzelne Kohlenstofffasern mittels Pulsed Laser Deposition (PLD) und einem gütegeschalteten CO2-Laser vollständig mit Dünnschichten aus Zinkoxid (ZnO) zu beschichten, um daraus Photoanoden für textile, flexible und luftdurchlässige Farbstoffsolarzellen (DSSCs) herzustellen. Der erste Teil der Arbeit untersucht das Wachstumsverhalten der Dünnschichten zunächst auf starren Substraten, sowie den Einfluss der Substrattemperatur, des Sauerstoffdrucks und aller Parameter, die durch die Beschichtung von Fasern bedingt werden. Dazu wurde insbesondere die Kristallstruktur der hergestellten Schichten mittels Röntgendiffraktometrie untersucht und die Ausbildung einer Vorzugsorientierung in Richtung der kristallografischen c-Achse des ZnO beobachtet, die auf die Diffusionslänge des ZnO zurückgeführt werden konnte. Weiterhin wurde das Abscheideverhalten bei Raumtemperatur untersucht, bei der es zur Ausbildung weniger kristalliner, dickerer, zinkhaltiger Schichten kam, und ein Modell zur Erklärung entwickelt. Der zweite Teil der Arbeit untersucht die Eignung der Dünnschichten als Photoanode. Hierzu wurden zunächst leitfähig beschichtete Glassubstrate mit ZnO bei zwei verschiedenen Substrattemperaturen beschichtet, hinsichtlich ihrer optischen sowie elektrischen Eigenschaften charakterisiert und DSSCs aus ihnen hergestellt. Da die DSSCs zwar prinzipiell funktionierten, jedoch sehr geringe Wirkungsgrade zeigten, wurde zunächst der elektrische Kontakt zwischen Kohlenstofffaser und Halbleiter untersucht. Er zeigte eine für diese Anwendung unerwünschte Schottky-Barriere, welche ein Diodenverhalten erzeugt und somit den Wirkungsgrad reduziert. Durch Ausnutzung der im ersten Teil gewonnenen Erkenntnisse über die zinkhaltigen Schichten war es möglich, auf Basis eines Mehrschichtsystems die Schottky-Barriere zu vermeiden und den Wirkungsgrad zu steigern
Stabilisierung der ferroelektrischen Phase in Hafniumdioxid
Full text linkDie Digitalisierung ist in vollem Gange. Viele Geräte werden intelligent, das heißt sie bekommen ein eigenes Rechenwerk und werden mit permanentem Internetzugang ausgestattet. Da viele dieser neuen intelligenten Geräte möglichst mobil sein sollen, werden neue energieeffiziente nichtflüchtige Halbleiterspeicher notwendig. Das hat zur Folge, dass großer Forschungsaufwand in die Entwicklung neuer Speicherkonzepte und der dafür notwendigen Materialien gesteckt wird. Daraus ergibt sich ein breites Forschungsfeld für zukünftige Speicherkonzepte. Hierfür wird versucht auf Grundlage von ferroelektrischen, magnetischen oder resistiven Materialeigenschaften neue Speicherbauelemente zu entwickeln und zur Anwendung zu bringen. Daraus folgten bereits Konzepte wie der magnetische RAM, der resistive RAM und der ferroelektrische RAM. Neue ferroelektrische Speicherkonzepte basierend auf Materialien mit Perowskitstruktur zeigten zwar viele positive Eigenschaften, konnten aber mangels ausreichender Skalierbarkeit keinen breiten Marktzugang finden. Die Entdeckung von Ferroelektrizität in dünnen dotierten HfO2-Schichten kann dieses Problem überwinden und ist dadurch für die weitere Entwicklung neuer Speicherkonzepte von großer Bedeutung.
Das Mischoxid Hafniumdioxid-Zirkondioxid hat sich als eines der geeignetsten auf Hafniumdioxid basierenden ferroelektrischen Materialsysteme erwiesen. Gemein haben alle ferroelektrischen hafniumbasierten Schichten, dass die polare orthorhombische Kristallphase der Ursprung des ferroelektrischen Verhaltens ist. Das Verständnis der Phasenübergänge und der Phasenstabilisierung in dotiertem, ferroelektrischem HfO2 ist somit von entscheidender Bedeutung für zukünftige ferroelektrische Speicheranwendungen. In dieser Arbeit wird der Einfluss der Sauerstoffkonzentration auf die Stabilisierung der monoklinen, orthorhombischen und tetragonalen Kristallphasen und deren Auswirkung auf die ferroelektrischen Eigenschaften untersucht. Dafür werden detaillierte elektrische und strukturelle Untersuchungen an gesputterten und mit Atomlagenabscheidung hergestellten, dünnen HfO2- und Hf(1-x)Zr(x)O2-Schichten vorgenommen. Die Sauerstoffkonzentration wurde entweder direkt über die Prozessparameter während der Abscheidung oder nachträglich durch Änderung der Elektrodenstöchiometrie beeinflusst. Dadurch konnten Parameter gefunden werden, die die Stabilisierung der ferroelektrischen orthorhombischen Kristallphase positiv beeinflussen. Temperaturabhängige Untersuchungen erlaubten zusätzlich die nähere Betrachtung welcher Klasse von Ferroelektrika ferroelektrisches Hafniumdioxid zugeordnet werden kann. Für den orthorhombisch-tetragonalen Phasenübergang konnte ein Phasenübergang erster Ordnung mit kleiner Temperaturhysterese und einem Peak in der relativen Permittivität, in Übereinstimmung mit dem Curie-Weiss-Verhalten, beobachtet werden. Mit diesen und weiteren Beobachtungen kann HfO2 sehr wahrscheinlich der Klasse der echten Ferroelektrika zugeordnet werden.
Die Ergebnisse dieser Arbeit schließen eine weitere Lücke im Verständnis der Ferroelektrizität in HfO2 und können ein weiterer Schritt auf dem Weg zur Anwendung auf dem Massenmarkt sein.:Index I
1 Einleitung 1
2 Theoretische Grundlagen 3
2.1 Ferroelektrizität . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
2.1.1 Thermodynamische Betrachtungen der Ferroelektrizität . . . . . . . . . . . . . . 6
2.1.2 Preisach-Modell und das Auftreten ferroelektrischer Domänen . . . . . . . . . . 11
2.1.3 Reales ferroelektrisches Verhalten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
2.2 Ferroelektrizität in HfO 2 -basierten Materialien . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
2.2.1 Ursachen der Ferroelektrizität in Hafniumdioxid . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
2.2.2 Ferroelektrisches Verhalten dünner HfO 2 -Schichten . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
2.3 Anwendungsmöglichkeiten ferroelektrischer Materialien . . . . . . . . . . . . . . 29
2.3.1 Speicheranwendungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
2.3.2 Weitere Anwendungsfelder . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
3 Probenherstellung und deren elektrische und strukturelle Charakterisierung 36
3.1 Prozessfluss . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
3.1.1 Atomlagenabscheidung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
3.1.2 Sputterabscheidung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
3.2 Strukturelle Charakterisierung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
3.3 Chemische Charakterisierung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
3.4 Elektrische Charakterisierung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
4 Stabilisierung der ferroelektrischen Phase in HfO 2 und der Einfluss der Sau-
erstoffkonzentration 49
4.1 Undotiertes gesputtertes HfO 2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
4.1.1 Eigenschaften undotierter gesputterter HfO 2 -Schichten . . . . . . . . . . . . . . . 51
4.1.2 Einfluss der Sauerstoffkonzentration während der Abscheidung auf die orthorhom-
bische Phase . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
4.2 Zusammenspiel von Sauerstoffkonzentration und ZrO 2 -Konzentration . . . . . . 72
4.3 Einfluss von IrO 2 -Metalloxidelektroden auf die orthorhombische Phase der HfO 2 -
Schichten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84
5 Temperaturstabilität der ferroelektrischen Schichten 97
5.1 Einfluss der Ozondosiszeit auf mit Atomlagenabscheidung hergestellte Hf 0,5 Zr 0,5 O 2 -
Schichten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97
5.2 Temperaturabhängige Phasentransformation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 102
5.3 Klassifizierung von ferroelektrischem HfO 2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120
5.4 Temperaturstabilität des Konditionierungseffekts . . . . . . . . . . . . . . . . . . 123
5.5 Zusammenfassung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 126
6 Zusammenfassung und Ausblick 127
Literaturverzeichnis XII
Abbildungsverzeichnis XLII
Tabellenverzeichnis LII
A Abkürzungen und Formelzeichen LIII
B Publikationsliste LVII
C Danksagung LXII
D Lebenslauf LXIVDigitization is in full swing. Many prior offline devices are becoming smart devices with permanent internet access. Since many of these new smart devices are expected to be as mobile as possible, new energy-efficient non-volatile semiconductor memories are needed. As a consequence, a great effort of research is being put into the development of new memory concepts and the materials required for them. This results in the research field of emerging memories, which tries to develop and apply new memory concepts based on ferroelectric, magnetic or resistive material properties. Concepts such as magnetic RAM, resistive RAM and ferroelectric RAM followed. Ferroelectric memory concepts based on perovskite showed many positive properties, but could not find a broad market access due to a lack of sufficient scalability. The discovery of ferroelectricity in doped HfO2 thin films can overcome this problem and is thus of great importance for the further development of new memory concepts.
The composition of hafnium dioxide and zirconium dioxide has proven to be one of the most suitable hafnium-based ferroelectric material systems. Common to all ferroelectric hafnium-based films is that the polar orthorhombic crystal phase is the origin of the ferroelectric behavior. Thus, understanding the phase transitions and stabilization in doped ferroelectric HfO2 is crucial for future ferroelectric memory applications. In this work, the influence of oxygen concentration on the stabilization of the monoclinic, orthorhombic and tetragonal crystal phase and its effect on the ferroelectric properties is investigated. For this purpose, detailed electrical and structural studies are performed on sputtered and atomic layer deposition prepared thin HfO2 and Hf(1-x)Zr(x)O2 films. The oxygen concentration was influenced either directly by the process parameters during deposition or subsequently by changing the electrode stoichiometry. Thus, parameters were found to positively influence the stabilization of the ferroelectric orthorhombic crystal phase. Temperature-dependent investigations additionally allowed a closer look at which class of ferroelectrics hafnium oxide-based ferroelectrics can be assigned to. For the orthorhombic-tetragonal phase transition, a first-order phase transition with small temperature hysteresis and a peak in relative permittivity, in agreement with the Curie-Weiss-behavior, could be observed. With these and other observations, HfO2 can most likely be assigned to the class of proper ferroelectrics.
The results of this work fill another gap in the understanding of ferroelectricity in HfO2 and may be another step towards mass market applications.:Index I
1 Einleitung 1
2 Theoretische Grundlagen 3
2.1 Ferroelektrizität . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
2.1.1 Thermodynamische Betrachtungen der Ferroelektrizität . . . . . . . . . . . . . . 6
2.1.2 Preisach-Modell und das Auftreten ferroelektrischer Domänen . . . . . . . . . . 11
2.1.3 Reales ferroelektrisches Verhalten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
2.2 Ferroelektrizität in HfO 2 -basierten Materialien . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
2.2.1 Ursachen der Ferroelektrizität in Hafniumdioxid . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
2.2.2 Ferroelektrisches Verhalten dünner HfO 2 -Schichten . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
2.3 Anwendungsmöglichkeiten ferroelektrischer Materialien . . . . . . . . . . . . . . 29
2.3.1 Speicheranwendungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
2.3.2 Weitere Anwendungsfelder . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
3 Probenherstellung und deren elektrische und strukturelle Charakterisierung 36
3.1 Prozessfluss . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
3.1.1 Atomlagenabscheidung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
3.1.2 Sputterabscheidung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
3.2 Strukturelle Charakterisierung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
3.3 Chemische Charakterisierung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
3.4 Elektrische Charakterisierung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
4 Stabilisierung der ferroelektrischen Phase in HfO 2 und der Einfluss der Sau-
erstoffkonzentration 49
4.1 Undotiertes gesputtertes HfO 2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
4.1.1 Eigenschaften undotierter gesputterter HfO 2 -Schichten . . . . . . . . . . . . . . . 51
4.1.2 Einfluss der Sauerstoffkonzentration während der Abscheidung auf die orthorhom-
bische Phase . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
4.2 Zusammenspiel von Sauerstoffkonzentration und ZrO 2 -Konzentration . . . . . . 72
4.3 Einfluss von IrO 2 -Metalloxidelektroden auf die orthorhombische Phase der HfO 2 -
Schichten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84
5 Temperaturstabilität der ferroelektrischen Schichten 97
5.1 Einfluss der Ozondosiszeit auf mit Atomlagenabscheidung hergestellte Hf 0,5 Zr 0,5 O 2 -
Schichten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97
5.2 Temperaturabhängige Phasentransformation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 102
5.3 Klassifizierung von ferroelektrischem HfO 2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120
5.4 Temperaturstabilität des Konditionierungseffekts . . . . . . . . . . . . . . . . . . 123
5.5 Zusammenfassung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 126
6 Zusammenfassung und Ausblick 127
Literaturverzeichnis XII
Abbildungsverzeichnis XLII
Tabellenverzeichnis LII
A Abkürzungen und Formelzeichen LIII
B Publikationsliste LVII
C Danksagung LXII
D Lebenslauf LXI
Appropriate Similarity Measures for Author Cocitation Analysis
Full text linkWe provide a number of new insights into the methodological discussion about author cocitation analysis. We first argue that the use of the Pearson correlation for measuring the similarity between authors’ cocitation profiles is not very satisfactory. We then discuss what kind of similarity measures may be used as an alternative to the Pearson correlation. We consider three similarity measures in particular. One is the well-known cosine. The other two similarity measures have not been used before in the bibliometric literature. Finally, we show by means of an example that our findings have a high practical relevance.information science;Pearson correlation;cosine;similarity measure;author cocitation analysis
Off‐Stoichiometry Engineering of the Electrical and Optical Properties of SrNbO 3 Using Oxide Molecular Beam Epitaxy
No full textAbstract The highly conducting and transparent inorganic perovskites Sr B O 3 with V, Nb, Mo, and their mixtures at the B ‐site have recently attracted the attention of the oxide electronics community as novel alternative transparent conducting oxides. For different applications, from solar cells to transparent electronics, it is desirable to tune the optical transmission window in the ultraviolet, visible, and infrared (IR) range. The conventional approach is substitutional design at the A‐ and/or B‐ site. Here, a method of engineering the off‐stoichiometry of the perovskite SrNbO 3 is used, opening new pathways to broaden the range of applications without adding additional elements. For oxide molecular beam epitaxy (MBE) grown SrNbO 3 on GdScO 3 substrates, it shows that controlled Sr deficiency shifts the plasma edge from ∼2 eV in the visible range into the near‐IR region, 1.37 eV (similar to stoichiometric SrVO 3 ). The epitaxial growth using MBE allows going beyond the limitations of phase stability set by thermodynamics. This work includes controlled vacancy sites as quasi‐substitutional virtual elements and advances the stoichiometry engineering of perovskite oxides using an oxide MBE.Deutsche Forschungsgemeinschaft https://doi.org/10.13039/501100001659European Research Council https://doi.org/10.13039/50110000078
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